修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

量子通信稳了?比发丝薄千倍的材料,首次实现光子“量子羁绊”精准操控

发布时间:2025-07-21 16:58:59 阅读数: 326

图片描述

InGaP超表面的偏振纠缠示意图。纳米结构的InGaP超表面能够增强沿z方向反向传播的偏振纠缠光子对的生成。右下图展示了制备的超表面的扫描电子显微镜图像。

近日科学家借助一种新型材料平台,成功制备出纠缠度可调的光子对 —— 而实现这一突破的材料层,厚度竟比人的头发丝还要薄。

研究表明这种光子对是由一种由铟镓磷化物(InGaP)制成的超表面产生,该超表面具有非线性响应特性,能够将一个经典光子分裂成两个量子光子。通过调节初始光子的波长,可以产生两种全新的光子:它们可以通过偏振态实现完全纠缠、完全不纠缠,或者处于两者之间的任意纠缠状态,且调控精度可达皮秒级。

该过程利用了超表面的不对称性。并且这是一个令人兴奋的、用于制备可调量子态的新物理原理。非线性过程中不对称性的重要性已广为人知,但这是首次将其应用于生成纠缠光子对。

该项研究的团队负责人为安德烈·苏霍鲁科夫(Andrey Sukhorukov)教授,他的团队来自电子材料工程系(EME),以及澳大利亚研究理事会(ARC)卓越中心——变革性超光学系统中心(TMOS)。

可调谐的纠缠光子对是实现安全量子通信和加密的关键要素,而这项研究是首次利用超表面微型化技术来实现纠缠可调谐性的。

     

该研究成果以“Nonlinearity symmetry breaking for generating tunable quantum entanglement in semiconductor metasurfaces”为题,发表在《科学进展》杂志上,详细阐述了该过程如何利用光学谐振来提升光子对的生成效率。

图片描述

新工艺的关键在于超表面的制造工艺

研究人员在研究材料时发现,InGaP的性能非常有前景——它具有大的非线性系数、带隙宽,并且在红光波长下透明。

在回顾以往关于InGaP的研究时,研究人员发现了一个字面意义上的“转折点”。上世纪八十年代的实验曾探索过采用不同的晶体取向,以利用不同方向上出现的不同非线性特性。

于是,他们在澳大利亚国家制造设施中心(Australian National Fabrication Facility)尝试旋转晶格进行外延生长。最终,完善了一种方法,成功制备出InGaP晶体结构沿 [110] 方向排列的的超表面,这与更常见的[100]取向形成对比,在 [100] 取向下,所需的非线性条件几乎完全不存在。

为了进一步利用[110]取向的非线性特性,研究团队希望通过产生光学谐振来提升效率。

图片描述

非线性过程的实验表征

最终建模结果表明,产生光学谐振的最佳条件是采用一种超表面设计,使用高度为 500 纳米、直径略小于 1 微米、间距为 1 微米的柱状阵列,并将其置于二氧化硅基底上。”

泵浦激光以90度角从上方或下方注入超表面,促使泵浦光子下转换为两个波长更长的光子(单光子下转换);其中一个与泵浦光子同向传播,另一个则反向传播。

这种超表面不仅比传统的下转换光学元件薄一千多倍,还具有一个强大的特性——不对称性。

由于单面二氧化硅基地的存在,两个新光子所处的条件是非对称的,这意味着光子对可以是非对称的,而非固定为对称的纠缠态。这一机制是传统非结构化非线性晶体无法实现的。

纠缠程度取决于泵浦激光器的波长与光学谐振的相对关系:通过改变失谐量,两个光子的纠缠状态可从完全纠缠转变为完全不纠缠。

图片描述

光学可调偏振纠缠的实验表征。

实验成功验证了模型预测的行为,其信噪比(SNR)比现有的半导体平面光学器件高出两个数量级。

从超表面生成偏振纠缠并非易事——研究人员需要确保不同量子过程之间具有高空间和光谱重叠。该过程需要接近平直带的光学谐振,通过利用局域化谐振,这受益于InGaP的高折射率。

这项研究创新之处在于开发了一种新的物理方法,它通过改变泵浦波长来实现偏振纠缠的调谐,从而克服了非结构材料的局限性。

图片描述

可调超纠缠的视角。

除了偏振纠缠外,光子对还具有空间纠缠——拥有两种纠缠特性,它们被归类为“超纠缠”。

并且,由于输出对的改变速度可与泵浦波长的调谐速度相匹配,因此纠缠可实现皮秒级控制。

研究人员表示:“这为超表面设计开辟了新可能性——该方法可用于调控其他自由度或多个自由度,以实现超纠缠。”


  • PMM-P 手持式光子多用表

    PMM-P 手持式光子多用表

    型号:PMM-P

    厂家:

    概述:PMM-P是一款基于Sedona平台的手持式光子多用表,配备了7英寸触摸显示屏和大容量电池,便于在实验室和现场监测光子条件。该多用表不仅可以检测平均输入光功率,还能分析高达100 kHz的光波形。此外,它还带有电信号发生器,用于快速的光电转换测试,并包括FFT分析。

    查看详情

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 栅极驱动专用型光电耦合器 光电探测器 栅极驱动专用型光电耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 25mA 脉冲正向电流: 1A 反向电压: 5V

    EL3120系列是一款红外发光二极管和集成高增益高速光电探测器的光耦合器,采用8针DIP封装。其光电探测器具有内部屏蔽功能,可提供±25kV/μs的共模瞬态抗扰度,适用于IGBT或功率MOSFET的直接栅极驱动电路。

  • 高压光电达林顿耦合器 光电探测器 高压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(10μs): 1A 功耗: 100mW

    EL452-G系列是一款4针SOP高电压光达林顿光耦合器,包含一个红外发光二极管,光学耦合到高电压达林顿光电晶体管。它采用4针小型外形SMD封装。

  • 高隔离电压光电达林顿耦合器 光电探测器 高隔离电压光电达林顿耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL815系列是一款由红外发光二极管与光达林顿晶体管光耦合组成的4针DIP封装光耦合器,提供宽引脚间距和表面贴装选项。

  • EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 EL825 Series光电达林顿光耦合器 光电探测器 亿光电子

    正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V

    EL825系列是一款8针DIP光电达林顿光耦合器,包含红外发光二极管和光电晶体管探测器,提供高电流传输比和高输入输出隔离电压,适用于电话机、电话交换机、序列控制器、系统设备、测量仪器以及不同电位和阻抗电路之间的信号传输。

  • 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 低电容硅光电二极管芯片 光电探测器 Excelitas Technologies

    击穿电压: >100 击穿电压: >100 结电容: <30

    低电容硅光电二极管芯片,专为α粒子检测设计,提供两种尺寸,兼容导电环氧安装,包装选项包括晶圆包装或Mylar载体组装。

立即咨询

加载中....

全球十万光电产品数据库为您匹配满意的产品

  • 专业选型
  • 正规认证
  • 品质保障