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圣安德鲁斯大学成功开发新型光电子器件,有望将全息技术引入智能手机

发布时间:2025-09-01 16:44:30 阅读数: 277

图片描述

图1

全息技术因其能提供沉浸式三维视觉体验,在通信、娱乐、医疗等领域具有广阔前景。然而,传统全息技术依赖复杂的激光系统和笨重的光学设备,存在成本高、体积大、集成难等问题,严重限制了其在消费电子中的普及。有机发光二极管(OLED)具有轻薄、柔性发光特性,超表面能精准调控光场,二者结合为开发微型化、低成本全息显示提供了新思路。

英国圣安德鲁斯大学研究团队首次成功将有机发光二极管(OLED) 与全息超表面集成,研制出新型光电子器件,实现了紧凑、低成本的全息显示单元。该方案利用OLED作为面光源,超表面精确调制光波前,无需传统激光系统即可生成高质量全息图。这一突破消除了全息技术微型化的关键障碍,为智能手机、AR/VR设备等消费电子集成全息功能铺平了道路。研究成果发表于《光:科学与应用》。

图片描述

图2

核心实现方法:OLED-超表面集成与光场调控

1. 器件结构与集成:

采用OLED作为平面光源,其发光层厚度仅数百纳米,具备自发光的特性;

设计与OLED像素尺寸匹配的全息超表面,该超表面由亚微米尺度(~100 nm)的“超原子”结构阵列组成,每个超原子充当一个光场调制像素。

2. 光场调控机制:

光线从OLED发出后,直接入射至超表面;

每个超原子结构对光的相位、振幅等进行精密调控,通过光干涉原理在远场生成预设全息图像;

仅需单个OLED像素即可投射完整画面,突破传统显示需数千像素的限制。

3. 制备与优化:

通过纳米压印或电子束光刻制备超表面,确保结构与OLED发光区域对齐;

优化超原子形状与排列以提升衍射效率与图像质量。

图片描述

图3.概念示意图(左下角)展示了所提议的OLED照明全息图像投影系统,同时呈现了三幅在OLED照明下记录的全息图像,其空间相干性各不相同。OLED被放置在距超表面不同距离处(左上:3cm,右上:5cm,右下:6cm)

技术突破与优势

1.首例OLED-超表面全息集成系统
首次实现OLED与超表面的单片集成,摆脱传统激光光源和复杂空间光路,大幅降低系统复杂度与体积。

2.真正微型化与低成本路径
超表面厚度仅为百纳米级,OLED为成熟薄膜技术,二者兼容半导体工艺,具备量产潜力,成本远低于传统全息方案。

3.突破像素限制,提升系统效率
单个OLED像素即可通过超表面生成完整图像,突破传统显示屏“多像素一图像”的限制,显著提升光能利用率和系统集成度。

4.开辟消费电子应用新场景
为智能手机、AR眼镜、可穿戴设备等提供高集成度全息显示解决方案,推动全息技术走向日常应用。

图4.超表面的设计与表征。a 元原子设计参数:p=300nm,ta=700nm,tc=180nm。b 元原子半径与相位调制的关系曲线。方框标注实际实现中选用的离散相位值。c 目标图像。d 重建的全息图像。e 设计相位分布。f 采用485、532和660nm相干光测得的全息图像。由于投影至屏幕,这些图像相对于设计呈现镜像效果。

性能表征

超表面单元尺寸:超原子结构特征尺寸约100 nm(头发丝宽度的千分之一);

系统集成度:实现OLED与超表面单片集成,整体厚度可达微米级;

图像生成能力:单OLED像素即可投射完整全息图像,无需多像素阵列;

工艺兼容性:超表面制备与OLED技术均兼容现有半导体工艺,支持晶圆级加工。

图片描述

在OLED照明下的超表面。a 未加带通滤波器的OLED照明超表面装置。b 带带通滤波器的OLED照明超表面装置。c 未加带通滤波器时,d 加带通滤波器时,在OLED照明下记录的全息图像。

结论与展望

本研究通过OLED与超表面的创新集成,实现了微型化、低成本的全息显示单元,突破了传统全息技术的体积与成本限制。该技术有望推动全息技术在消费电子、AR/VR、光学安全等领域的广泛应用。未来研究方向包括:

1.提升图像质量:优化超原子设计以提高衍射效率和图像分辨率;

2.动态全息实现:开发与主动式OLED集成的可编程超表面,实现动态全息显示;

3.系统集成拓展:将器件集成于智能手机镜头模组或AR光学引擎中,推动实用化进程。

  • MXER-LN-10 10GHz空间级高消光比调制器

    MXER-LN-10 10GHz空间级高消光比调制器

    型号:MXER-LN-10

    厂家:iXblue Photonics

    概述:C-band 10 GHz Space Grade High Extinction Ratio Modulator,是一种电光幅度调制器,具有非常高的消光比和超过10 GHz的宽带宽。这种特殊设计依赖于Exail的“Magic Junction”专利来实现非常低的插入损耗和高消光比值。适用于高脉冲对比度和量子密钥分配等应用。

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