FoM全球新标杆!全球最小混合LDO问世,AI / 6G 芯片供电新方案
发布时间:2025-10-22 16:32:05 阅读数: 120
由韩国蔚山科学技术院(UNIST)电气工程系尹惠仁(Heein Yoon)教授领导的研究团队,近日推出了一款超小型混合式低压差稳压器(LDO),有望推动先进半导体器件的电源管理技术发展。这款创新芯片不仅能更高效地稳定电压,还能过滤噪声,同时占用更小空间,为人工智能、6G通信等领域的高性能系统级芯片(SoC)开辟了新前景。
新型LDO采用混合设计,融合了模拟与数字电路的优势,即使在电流需求突然变化时(例如在智能手机上启动游戏),也能确保稳定供电,并有效阻隔电源中的杂散噪声。
该技术的突破性在于采用了先进的数字-模拟转换传输(D2A-TF)方法和本地接地发生器(LGG),二者协同工作实现了卓越的电压稳定性和噪声抑制能力。测试显示,在99mA的电流快速波动时,其电压纹波仅为54毫伏,且能在667纳秒内恢复至标准电压水平。它在 10 kHz 频率和 100 mA 负载下实现了-53.7 dB 的电源抑制比 (PSRR),这意味着它可以有效滤除该频率下的几乎所有噪声。
另一重大优势在于其尺寸——采用 28 纳米 CMOS 工艺制造,由于无需使用笨重的外部电容器,其面积仅为 0.032 平方毫米。如此微小的占位面积使其成为高度集成的SoC的理想选择,因为这类芯片需要在狭小空间内集成多种功能。
首席研究员安昌旻解释道:“传统混合LDO通常需要大容量电容来平滑数模转换过程,这往往会成为性能瓶颈。我们的新设计通过无缝数模转换技术解决了这一问题,使其体积更小且效率更高?!?/span>
该LDO仅在突发电源浪涌时启动,待机功耗极低。其综合性能指标(FoM)达惊人的0.029皮秒,创下全球新标杆。
尹教授补充道:“这款超紧凑低功耗LDO具备卓越的电压稳定性和降噪性能,特别适用于新一代AI芯片和6G通信???。作为多功能解决方案,它可广泛应用于高性能电子设备领域?!?/span>
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