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光电二极管

已选
  • Excelitas Technologies
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    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • C30641GH-LC 光电二极管

    C30641GH-LC

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 9 to 60 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 1.05 A/W

    Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30954EH, C30955EH, C30956EH Series 长波长增强硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    形状: Circular 有用面积: 0.5/1.77/7mm2 有用直径: 0.8/1.5/3mm 名义视场: 110/104/135Degrees 击穿电压: 300-475/315-490/325-500V

    Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

  • C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30737LH-300-7XN Series 低电容硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-165Volts 增益: M=1@Vr=10V 温度系数: 0.6V/°C 响应度: S=35A/W@635nm

    Excelitas Technologies的C30737LH-300-7XN系列是一款低电容硅雪崩光电二极管，封装在无引脚陶瓷载体SMT封装中，适用于高体积激光测距和测距应用。

  • C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管 光电二极管

    C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

    Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs，提供高量子效率和低噪声的高响应度。

  • C30737CH Series 硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30737CH Series 硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    活动区域直径: 300um 击穿电压: 110-160Volts 增益: M=100 响应度: 35A/W@635nm 噪声电流: 0.2pA/√Hz

    C30737CH系列硅雪崩光电二极管采用'侧视'LLC SMD封装，适用于高容量激光测距、区域扫描和手势识别应用。

  • C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs） 光电二极管

    C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）

    美国
    分类：光电二极管
    有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

    Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管

    C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    活动直径: 80-200μm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长，适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • C30642GH-LC 光电二极管

    C30642GH-LC

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 36 to 300 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 1.05 A/W

    Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30619GH-LC 光电二极管

    C30619GH-LC

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 2 to 15 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 1.05 A/W

    Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30902SH Series（系列） 雪崩光电二极管 光电二极管

    C30902SH Series（系列） 雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μm

    Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

  • C30665GH-LC 光电二极管

    C30665GH-LC

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 77 to 530 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 1.05 A/W

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30662L-200 光电二极管

    C30662L-200

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 2.7 pF 响应度/光敏度: 9.4 A/W

    Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

  • EXACTD-332 光电二极管

    EXACTD-332

    美国
    分类：光电二极管
    ?？? Yes 光电二极管材料: Silicon, InGaAs 电容: 13.5 pF 响应度/光敏度: 0.2 to 0.7 A/W

    Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管?？?。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收?？?光电二极管

    LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收?？?/a>

    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收?？榧闪薃PD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些?？樽ㄎ咚俚凸饽Ｄ庑藕诺募觳舛杓?。

  • C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管 光电二极管

    C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

    Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管

    C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V 增益: 12-18

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30659 Series（系列）带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD） 光电二极管

    C30659 Series（系列）带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD）

    美国
    分类：光电二极管
    光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50? (AC-Coupled) 可靠性: 高

    Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD） 光电二极管

    C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD）

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 1x1mm2 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。

  • C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管

    C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain 上升时间: 2ns

    C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。