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光电二极管

已选
  • OSI Laser Diode, Inc.
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • FCI-InGaAs-120 光电二极管

    FCI-InGaAs-120

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 2 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120是波长范围为900至1700 nm、电容为2 PF、暗电流为0.05至2、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.30 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120的更多详细信息，请联系我们。

  • S-25CL 光电二极管

    S-25CL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 95 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的S-25CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为95 PF，暗电流为100 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-25CL的更多详情见下文。

  • DL-4 光电二极管

    DL-4

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 60 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-4是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为35至60 PF，暗电流为50至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08μs.下面可以看到DL-4的更多详细信息。

  • S-120VL 光电二极管

    S-120VL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 10000 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的S-120VL是一种波长范围为970 nm、电容为10000 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-120VL的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD60-0 光电二极管

    OSD60-0

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 75 to 600 pF 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-0是波长范围为900 nm、电容为75至600 PF、暗电流为15至50 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为14 ns的光电二极管。有关OSD60-0的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD5-5T 光电二极管

    OSD5-5T

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.21 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为130 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为9μs.有关OSD5-5T的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300 光电二极管

    FCI-InGaAs-300

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.30至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300的更多详细信息，请联系我们。

  • CD-1705 光电二极管

    CD-1705

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的CD-1705是波长范围为850nm、电容为70pF、响应度/光敏度为0.55至0.60A/W、上升时间为2000ns的光电二极管。有关CD-1705的更多详细信息，请联系我们。

  • A2V-16 光电二极管

    A2V-16

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 170 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的A2V-16是一款波长范围为970 nm、电容为170 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A2V-16的更多详细信息见下文。

  • A5V-38 光电二极管

    A5V-38

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的A5V-38是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为340 PF，响应度/光敏度为0.60 A/W.A5V-38的更多详情见下文。

  • UDT-555UV/LN 光电二极管

    UDT-555UV/LN

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UDT-555UV/LN是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV/LN的更多详细信息，请联系我们。

  • UDT-020UV 光电二极管

    UDT-020UV

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UDT-020UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为1000 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-020UV的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-6D 光电二极管

    PIN-6D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 330 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-6D是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为60至330 PF，暗电流为0.5至10 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为17 ns.有关引脚6D的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD1-0 光电二极管

    OSD1-0

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 12 pF 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-0是波长范围为900 nm、电容为3至12 PF、暗电流为1至3 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关OSD1-0的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-500ACER 光电二极管

    FCI-InGaAs-500ACER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500ACER是波长范围为900至1700nm、电容为20pF、暗电流为0.5至20nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为10ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500ACER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300B1x8 光电二极管

    FCI-InGaAs-300B1x8

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。

  • PIN-DSS 光电二极管

    PIN-DSS

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 70 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSS是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm（Si-TOP）、950至1100 nm（Si），电容为70 PF，响应度/光敏度为0.45 A/W（Si-TOP）、0.12 A/W（Si），上升时间为10μs（Si-TO）、150μs（Si）。有关PIN-DSS的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-H250G-InGaAs-75 光电二极管

    FCI-H250G-InGaAs-75

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H250G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为1750MHz的光电二极管。有关FCI-H250G-InGaAs-75的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-2S 光电二极管

    DLS-2S

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 375 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-2S是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至375 PF，暗电流为10至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2μs.有关DLS-2S的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-10D 光电二极管

    PIN-10D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN 10D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为300至1500 PF，暗电流为2至25 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为43 ns.有关引脚10D的更多详细信息，请联系我们。