修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

光电二极管

已选
  • OSI Laser Diode, Inc.
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

    确定 取消
  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

    确定 取消
推荐专栏
  • 专业选型
  • 正规认证
  • 品质保障
查看更多 >

光电查为您提供229个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • S-100VL 光电二极管

    S-100VL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8500 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的S-100VL是一种波长范围为970 nm、电容为8500 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-100VL的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD35-LR-A 光电二极管

    OSD35-LR-A

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1300 pF 响应度/光敏度: 0.54 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-10DPI/SB 光电二极管

    PIN-10DPI/SB

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8800 pF 响应度/光敏度: 0.15 to 0.20 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DPI/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为8800 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为2μs.有关引脚10DPI/SB的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-50L 光电二极管

    UV-50L

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-50L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5μs.有关UV-50L的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-040A 光电二极管

    PIN-040A

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2 to 8 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-040A是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为2至8 PF，暗电流为0.05至0.5 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为8 ns.有关PIN-040A的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-4M 光电二极管

    FCI-InGaAs-4M

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-4M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 光电二极管

    FCI-H622M-InGaAs-75

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H622M-InGaAs-75是波长范围为1100至1650 nm、带宽为520 MHz的光电二极管。FCI-H622M-InGaAs-75的更多详情见下文。

  • S-200VL 光电二极管

    S-200VL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17000 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的S-200VL是一种波长范围为970 nm、电容为17000 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-200VL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300LCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-300LCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300LCER的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD3-5T 光电二极管

    OSD3-5T

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.21 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD3-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为80 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为9μs.有关OSD3-5T的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD1-E 光电二极管

    OSD1-E

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 to 35 pF

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-E是波长范围为550 nm、电容为7至35 PF、暗电流为0.2至1 nA、响应度/光敏度为2.2 nA/Lux的光电二极管。有关OSD1-E的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-5-YAG 光电二极管

    PIN-5-YAG

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 5 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN-5-YAG是波长范围为1000nm、电容为5pF、暗电流为40nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为10ns的光电二极管。下面可以看到PIN-5-YAG的更多详细信息。

  • FCI-GaAs-12M 光电二极管

    FCI-GaAs-12M

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.63 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-12M是波长范围为850 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.63 A/W的光电二极管。

  • A2V-76 光电二极管

    A2V-76

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 pF 响应度/光敏度: 0.50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的A2V-76是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为160 PF，响应度/光敏度为0.50 A/W.A2V-76的更多详情见下文。

  • QD7-0 光电二极管

    QD7-0

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的QD7-0是波长范围为900 nm、电容为20 PF、暗电流为4至15 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD7-0的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-H125G-InGaAs-75 光电二极管

    FCI-H125G-InGaAs-75

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H125G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为900MHz的光电二极管。FCI-H125G-InGaAs-75的更多详情见下文。

  • A5C-35 光电二极管

    A5C-35

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 12 pF 响应度/光敏度: 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的A5C-35是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为12 PF，暗电流为0.05 nA，响应度/光敏度为0.65 A/W.A5C-35的更多详细信息见下文。

  • PIN-3CDPI 光电二极管

    PIN-3CDPI

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 320 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-3CDPI是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为320 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为50 ns.有关引脚3CDPI的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-100L 光电二极管

    UV-100L

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-100L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9μs.有关UV-100L的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-16M 光电二极管

    FCI-InGaAs-16M

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-16M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。