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  SPOT系列分段光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  活动区域: 0.25-19.6 mm2 响应度: 0.010-0.127 A/W 电容: 1-50 pF 噪声等效功率: 2.8e-15-1.9e-14 W/√Hz 上升时间: 0.60-0.65 ns

  SPOT系列分段光电二极管分为两个或四个独立的活动区域，具有高响应均匀性。适用于精确校准和中心定位，具有高精度、高速响应和优秀的时间及温度稳定性。

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  FCI-InGaAs-QXXX 大活动面积InGaAs四象限光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: 最高+260°C 活动区域直径: 1000~3000μm 响应度: 0.85~0.90A/W 响应度: 0.90~0.95A/W 元素间隙: 0.045mm

  FCI-InGaAs-QXXX系列是大活动面积的InGaAs光电二极管，分割成四个独立的活动区域。这些光电二极管有1mm和3mm的活动区域直径。InGaAs四象限系列具有高响应均匀性和元素间低串扰，非常适合精确的零位或中心定位应用以及光束轮廓分析应用。

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  XUV Series 硅光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考 光谱响应: 0.07 - 1100nm 并联电阻: 50到200MΩ 噪声等效功率: 2.9 x 10-15到4.1 x 10-14W/√HZ

  XUV Series独特的硅光电二极管系列，设计用于X射线区域的额外灵敏度，无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm（6eV到17.6KeV）的宽光谱范围内敏感，每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对，对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

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  可焊接的光电二极管芯片系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效区域: 不同型号有4.7mm2到189.0mm2 响应度: 不同型号有A/W单位 并联电阻: 不同型号有(M?)单位

  这是一系列可焊接的光电二极管芯片，提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大活动区域的光检测器，无论是否带有飞线以便组装，或在检测器被视为“一次性使用”的情况下。这些检测器具有低电容、适度的暗电流、宽动态范围和高开路电压。

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  四边形位置传感器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  DSNU: 80 DSNU: ±0.010 DSNU: 50 DSNU: -15到+70 DSNU: 670

  四边形位置传感器（Tetra-Lateral Position Sensors）采用单一电阻层制造，适用于一维和二维测量。具有共用阳极和两个或四个阴极，用于一维或二维位置感应。适用于工具对准、水平测量和角度测量等多种应用场景。

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  双层夹心探测器系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效区域: 2.54 φ (PIN-DSS), 1.50 φ (PIN-DSIn) 并联电阻: 50 Ω (PIN-DSS), 300 Ω (PIN-DSIn) 噪声等效功率: 1.3 e -14 W/√Hz (PIN-DSS), 2.1 e -13 W/√Hz (PIN-DSIn) 光谱范围: 400-1100 nm (Si top), 950-1700 nm (InGaAs) 峰值波长: 950 nm (Si), 1300 nm (InGaAs)

  双层夹心探测器系列(Dual Sandwich Detector Series)，又称双色探测器，主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线，来测量温度。这些设备适合于光学远程测量，具有不受发射率影响和视场中污染物或移动目标的影响等优点。适用于火焰温度感测、分光光度计等应用，具有紧凑、密封性好等特点。

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  FCI-InGaAs-36C 光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  感光区直径: 36μm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF 暗电流: VR=5V --- 0.5 - 2nA

  OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

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  FCI-InGaAs-WCER-LR 低反射率InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: ---~+260°C 有效区域: 250X500μm X μm 响应度(λ = 1310nm): 0.85~0.90A/W 响应度(λ = 1550nm): 0.90~0.95A/W 最大反向电压: ---~20V

  OSI Optoelectronics的最新产品线包括FCI-InGaAs-WCER-LR一种反射率极低的光电二极管。该InGaAs/InP光电二极管专为通信应用而设计，其典型的光学反射率在1520nm至1620nm的范围内小于0.6%。这种超低反射率在宽波长范围内的实现是通过在InGaAs/InP光电二极管表面直接沉积专有的多层反射防护涂层来实现的。OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款低反射率InGaAs光电二极管，专为高速通信领域设计，特点包括波长范围宽、高响应度和低噪声。

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  FCI-H125/250G-InGaAs-XX 高速InGaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  输入光功率: ---~+3dBm 活动区域直径: 75μm 响应度: 1800~2500V/W 跨阻抗: ---~2800? 光学过载: ---~-3dBm

  FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速InGaAs光电探测器，如千兆以太网和SONET OC-48/SDH STM-16设计的高速InGaAs光电探测器，封装在密封的4针TO-46封装中，适用于高速信号放大。

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  FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA 有效面积直径: ---~75μm 响应度: ---~1.6V/mW 跨阻抗: ---~18kΩ

  FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器，具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中，为高速信号检测和放大提供了理想条件。

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  FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75μm - 500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90A/W - 0.95A/W 电容: 1.5pF - 20pF

  FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75μm、120μm、300μm、400μm和500μm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

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  FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90A/W - 0.95A/W 电容: 80pF - 1800pF

  FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

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  FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效面积直径: 75μm, Pitch:250μm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 最大反向电压: 20V 最大正向电流: 5mA 击穿电压: Typ. 50V

  FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

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  FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75μm to 500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90 to 0.95 A/W 电容(5.0V): 0.65 to 20 pF

  FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管，安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控，具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

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  FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75μm to 500μm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W 响应度(1550nm): 0.90 to 0.95 A/W 电容: 0.65 to 20.0 pF

  FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上，适用于高速光通信等应用，为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

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  FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75μm - 500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90A/W - 0.95A/W 电容(电压=5.0V): 0.65pF - 20.0pF

  FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管，适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管，安装在带引线的陶瓷封装上。

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  FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  活动区域直径: 75μm to 120μm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W 背反射: -40dB to -35dB 电容: 0.65pF to 1.0pF

  FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装，具有75微米和120微米的活动区域，适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准，并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

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  FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  输入光功率: ---~+5dBm 供电电流: 26*55~35*65mA 活动区域直径: 100μm 响应度: 1000~1700V/W 跨阻抗: 2800Ω

  FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100μm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。