- 日本
- Hamamatsu Photonics
-
电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
-
S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
-
PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
-
FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
-
C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
-
C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
-
C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供5个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
-
InGaAs PIN光电二极管G12180系列
光敏面积: 0.3-5 封装形式: TO-18, TO-5, TO-8 冷却类型: 非冷却型, 单级TE冷却型, 双级TE冷却型 最大反向电压: 2-20 工作温度: -40至+100Hamamatsu的InGaAs PIN光电二极管具有高并联电阻和极低的噪声,提供从0.3mm到5mm的多种光敏面积尺寸,适用于多种光电应用。
-
P13243-045CF
光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/WHamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,视场为90°,带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装,非常适合火焰监测应用。
-
P13894-011CN
光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.6 pF 响应度/光敏度: 1.4 to 2 mA/WHamamatsu Photonics的P13894-011CN是一款光谱范围高达11μm的InAsSb红外光电二极管。光敏二极管的光敏面积为1×1mm,灵敏度为2mA/W,探测率为7.0×107cm·Hz1/2/W,最大上升时间为10ns,最大噪声等效功率为2.5×10-9W/Hz1/2。其分流电阻为2K&Ω,终端电容为0.6pF.该光电二极管采用紧凑型表面贴装陶瓷封装,非常适合辐射温度计和气体检测(CH4、CO2、Co、NH3、O3等)应用。
-
P13243-045MF
光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/WHamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,带通滤波器为4.45μm,视场为82°。它的上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装,非常适合火焰监测应用。
-
光电倍增管
接近角: 300-650 Degree 有效区域: 1*3我们利用我们独特的微细加工技术来设计和开发各种微型 PMT,这些 PMT 体积小巧轻便,同时保持了光电倍增管众所周知的高性能。 Micro PMT器件采用MEMS技术的阳极键合,将硅基板与玻璃基板连接在一起,因此具有很强的抗冲击性。这种高缓冲或抗冲击性使其成为开发高性能手持式测试和分析设备的理想选择。