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光电二极管

已选
  • 美国
  • OSI Laser Diode, Inc.
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • FCI-InGaAs-500 光电二极管

    FCI-InGaAs-500

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.50至20、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-500LCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-500LCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。FCI-InGaAs-500LCER的更多详情见下文。

  • APD15-8-150-T5H 光电二极管

    APD15-8-150-T5H

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 响应度/光敏度: 50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为350 MHz，电容为10 PF，暗电流为0.5至5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息，请联系我们。

  • DL-20 光电二极管

    DL-20

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 14 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为600至14 PF，暗电流为2000至175 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025μs.有关DL-20的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-10 光电二极管

    DLS-10

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 to 200 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为160至200 PF，暗电流为50至400 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2μs.有关DLS-10的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300B1 光电二极管

    FCI-InGaAs-300B1

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-400 光电二极管

    FCI-InGaAs-400

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.40至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-XXX-X Series 光电二极管

    FCI-InGaAs-XXX-X Series

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 光电二极管

    FCI-InGaAs-WCER-LR

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为15 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。

  • PIN-10DP/SB 光电二极管

    PIN-10DP/SB

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8800 pF 响应度/光敏度: 0.15 to 0.20 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为8800 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为2μs.有关引脚10DP/SB的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-13D 光电二极管

    PIN-13D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 40 to 225 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN 13D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为40至225 PF，暗电流为0.35至6 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为14 ns.有关引脚13D的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-220D 光电二极管

    PIN-220D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 3200 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-220D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为600至3200 PF，暗电流为5至100 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为75 ns.有关引脚220D的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-44D 光电二极管

    PIN-44D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 700 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-44D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为130至700 PF，暗电流为1至15 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为24 ns.有关引脚44D的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-555AP-1 光电二极管

    PIN-555AP-1

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 to 0.27 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-555AP-1是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W，上升时间为0.1μs.有关PIN-555AP-1的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-HR020L 光电二极管

    PIN-HR020L

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pF 响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR020L是一种光电二极管，其波长范围为800 nm，电容为1.8 PF，暗电流为0.06至0.1 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为0.8 ns.有关引脚HR020L的更多详细信息，请联系我们。

  • S-100CL 光电二极管

    S-100CL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 375 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的S-100CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为375 PF，暗电流为600 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-100CL的更多详细信息见下文。

  • S-25VRL 光电二极管

    S-25VRL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2100 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的S-25VRL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为2100 PF，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.有关S-25VRL的更多详细信息，请联系我们。

  • S-4VL 光电二极管

    S-4VL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 370 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的S-4VL是波长范围为970 nm、电容为370 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-4VL的更多详细信息，请联系我们。

  • S-80VL 光电二极管

    S-80VL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 6000 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的S-80VL是一款波长范围为970 nm、电容为6000 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-80VL的更多详细信息，请联系我们。

  • SL76-1 光电二极管

    SL76-1

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 190 to 250 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的SL76-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为190至250 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为14μs.有关SL76-1的更多详细信息，请联系我们。