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光电二极管

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  • 美国
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  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • Ge雪崩光电二极管 光电二极管

    Ge雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    APD 类型: Ge 工作波长: 1300nm 工作波长范围: 800 - 1800 nm

    雪崩光电二极管

  • 砷化镓雪崩光电二极管 光电二极管

    砷化镓雪崩光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1300nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nm

    InGaAs雪崩光电二极管

  • 低温光电倍增器D830B 光电二极管

    低温光电倍增器D830B

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 350nm

    电子管已经开发出在低温下使用的光电倍增管（PMT）。在这些超低温下，由于光电阴极电导率的限制，标准光电倍增管很容易工作。我们专门制造的光电倍增管在液氮温度下表现出色。

  • PB29B03H - 29毫米光电倍增管 光电二极管

    PB29B03H - 29毫米光电倍增管

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 400nm 上升时间: 2ns

    光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。

  • 光电探测器?？镻DM04-9111-CP 光电二极管

    光电探测器?？镻DM04-9111-CP

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 450nm 上升时间: 1.8ns

    我们的新系列光电探测器?？榧闪酥本段?5毫米和30毫米的光电倍增管以及低噪声、低功耗的高压电源，可提供圆柱形和矩形两种形式。该?？椴捎?V至15V范围内的低压电源供电，并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。

  • 光电探测器?？镻DM04-9111-TTL 光电二极管

    光电探测器?？镻DM04-9111-TTL

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 1.2ns

    我们的新系列TTL光电探测器模块（PMT）有圆柱形和矩形两种形式，可选择直径为25mm和30mm的PMT。光电倍增管的高电压和鉴别器阈值电平是预先设置的，以获得较佳性能，只需连接到+5V电源即可实现光子计数操作。

  • 光电探测器?？镻DM9107-CN 光电二极管

    光电探测器模块PDM9107-CN

    美国
    分类：光电二极管
    PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 4.5ns

    我们的新系列光电探测器?？椋≒MT）集成了直径为25毫米和30毫米的光电探测器以及低噪声、低功耗的高压电源，可用于圆柱形和矩形两种形式。该?？椴捎?V至15V范围内的低压电源供电，并通过选择第5节所示的三个高压控制选项之一来设置HVIS。

  • IAV82 光电二极管

    IAV82

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    GPD Optoelectronics的IAV82是一款光电二极管，波长范围为1至1.63μm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV82的更多详细信息，请联系我们。

  • APD430A 光电二极管

    APD430A

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：索雷博

    Thorlabs Inc的APD430A是一款光学探测器，波长范围为400至1000 nm，带宽为DC至400 MHz，响应度/光敏度为53 A/W.有关APD430A的更多详细信息，请联系我们。

  • FDG03 光电二极管

    FDG03

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：索雷博

    Thorlabs Inc的FDG03是一款光学探测器，波长范围为800至1800 nm，上升时间为500 ns，暗电流为1.0μA，电容为3250 PF.有关FDG03的更多详细信息，请联系我们。

  • FDG05-CAL 光电二极管

    FDG05-CAL

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：索雷博

    Thorlabs公司的FDG05-CAL是一种光学检测器，波长范围为800至1800 nm，上升时间为220 ns.有关FDG05-CAL的更多详细信息，请联系我们。

  • FDG05 光电二极管

    FDG05

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：索雷博

    Thorlabs Inc的FDG05是一款光学探测器，波长范围为800至1800 nm，上升时间为220 ns，暗电流为10μA，电容为3000 PF.有关FDG05的更多详细信息，请联系我们。

  • FDG50 光电二极管

    FDG50

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：索雷博

    Thorlabs Inc的FDG50是一款光学探测器，波长范围为800至1800 nm，上升时间为220 ns，暗电流为60μA，电容为1800 PF.有关FDG50的更多详细信息，请联系我们。

  • FDS02 光电二极管

    FDS02

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：索雷博

    Thorlabs公司的FDS02是一种光学探测器，波长范围为400至1100 nm，上升时间为47 PS，暗电流为35 pA，电容为0.94 PF.有关FDS02的更多详细信息，请联系我们。

  • SM05PD2B 光电二极管

    SM05PD2B

    美国
    分类：光电二极管
    厂家：索雷博

    来自Thorlabs Inc的SM05PD2B是一款光学探测器，波长范围为200至1100 nm，上升时间为1 ns，暗电流为0.3 nA，电容为7 PF，响应度/光敏度为0.44 A/W.有关SM05PD2B的更多详细信息，请联系我们。

  • TEMD7100X01 光电二极管

    TEMD7100X01

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的TEMD7100X01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD7100X01的更多详细信息，请联系我们。

  • VEMD5510CF 光电二极管

    VEMD5510CF

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD5510CF是一款光电二极管，波长范围为540 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510CF的更多详细信息，请联系我们。

  • VEMD8080 光电二极管

    VEMD8080

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 电容: 42 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD8080是一款硅PIN光电二极管，峰值波长为850 nm.它是一种薄型表面贴装器件（SMD），包括具有4.5 mm2敏感区域的芯片，可检测可见光和近红外辐射。它的正向电压为1.2V，反向暗电流为0.2nA，光谱带宽为350~1100nm.这款光电二极管采用表面贴装封装，尺寸为4.8 X 2.5 X 0.48 mm，非常适合高速光电探测器、可穿戴应用等。