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S-200CL
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PD1300-35T52
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FCI-InGaAs-500
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家：Excelitas Technologies
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SiC光电二极管JEA0,1L
光谱范围: 210...380 nm 有效区域: 0,2 mm2 高UV响应: 0,18 A/W TO 39封装: 是 焊接温度: 260 °C (3s)SiC - photodiode JEA0,1L是一款高效能的紫外光探测器，适用于紫外测量和光源控制等多种应用。
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sic光电二极管- 0,25 mm2的SMD封装JEA0,25- 5sq
有效区域: 0,25 mm2 光谱范围: 210…355 nm 焊接温度: 245 °C (10 sec.) 芯片尺寸: 675 x 675 μm2 最大响应率: 0,16 A/WSiC-Photodiode – 0,25 mm2 in SMD Package，适用于UVA、UVB和UVC测量，提供高UV响应性和多种应用。
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FD500 Series
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 15 to 25 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD500系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为15至25 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为1至3 ns.有关FD500系列的更多详细信息，请联系我们。
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Type W (TO-18)光电二极管
窗口到阳极距离: .017 窗口到阴极距离: 0.5 窗口到外壳距离: 0 角度: 45oType W (TO-18) 是一种平窗盖设计的光电器件，适用于激光器、光学测量和成像系统等多种应用。
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Type W (TO-5)光电二极管
窗口直径: 0.325 光纤外径: 0.385 阳极尺寸: 0.189 阴极尺寸: 0.050 尺寸: 0.080Type W (TO-5)是一款高性能的光电产品，适合激光器、光学测量和成像系统应用。
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AT1-37T
Opto Diode Corporation的AT1-37T是一款光学探测器，波长范围为2.4至2.5μm，响应度/光敏度为6.3x10 5 V/W.有关AT1-37T的更多详细信息，请联系我们。
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FCI-InGaAs-500
光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.50至20、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500的更多详细信息，请联系我们。
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PTD系列InGaAs PIN光电二极管
灵敏度: 高 噪声等效功率: 低PTD系列InGaAs PIN光电二极管在1310nm和1550nm波段具有高灵敏度。平面设计和介质钝化技术提供了优越的噪声和光电性能。我们的先进平面制造技术确保了高质量和可靠性。
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PTD-HL系列InGaAs PIN光电二极管
PTD-HL系列InGaAs PIN光电二极管在1310nm和1550nm波段敏感，具有高线性和非常低的二次谐波失真（IMD2）。我们的先进平面制造技术确保了高质量和可靠性。
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FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管
焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90-0.95A/W 电容(电压=5.0V): 0.65-20pFFCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗，可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控，具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。
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FDS100-CAL
Thorlabs公司的FDS100-CAL是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容为24 PF，暗电流为1.0 nA，上升时间为10 ns.有关FDS100-CAL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器?？镻DM04-9113-TTL
PMT 类型: PMT (photomutiplier tube) 最大响应波长: 550nm 上升时间: 1.2ns我们的新系列TTL光电探测器?？椋≒MT）有圆柱形和矩形两种形式，可选择直径为25mm和30mm的PMT。光电倍增管的高电压和鉴别器阈值电平是预先设置的，以获得较佳性能，只需连接到+5V电源即可实现光子计数操作。
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UVG100
Opto Diode Corporation的UVG100是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为10μs，电容为10至20 NF，响应度/光敏度为0.08至0.13 A/W.有关UVG100的更多详细信息，请联系我们。
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APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管
有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm2 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°CAPD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。
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FCI-InGaAs-500LCER
光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。FCI-InGaAs-500LCER的更多详情见下文。
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YAG Series 1064nm硅光电探测器
有效区域: 5.1mm2, 100mm2 响应度: 0.4A/W 上升时间: 5ns, 25ns 噪声等效功率: 1.2x10?1?W/√HZ, 2.5x10?1?W/√HZYAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。
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7510-1-04
模拟?？榈?510-1-04是一款InGaAs雪崩光电二极管前置放大器光接收器，工作范围为1.0μm至1.7μm.接收器的探测器有效直径高达220μm.它的动态范围超过30dB，噪声等效功率低于5nW.该光学接收器采用PCB安装密封扁平TO-8封装，非常适合眼睛安全传感器、测距和医疗应用。