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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供958个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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ODD-42WB
Opto Diode Corporation的ODD-42WB是一款光学检测器,波长范围为450 nm,上升时间为30 nsec,暗电流为11至25 nA,电容为85 PF,响应度/光敏度为0.20至0.28 A/W.ODD-42WB的更多详情见下文。
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ODD-SXUV-DLPSD
来自Opto Diode Corporation的ODD-SXUV-DLPSD是波长范围为1至400 nm、上升时间为200 nsec、暗电流为10至50 nA、电容为40至60 PF、响应度/光敏度为0.02至0.2 A/W的光学检测器。
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SD 197-70-74-591
Luna Innovations的SD 197-70-74-591是一款光学探测器,波长范围为350至1050 nm,暗电流为6至18 nA,电容为25 PF,响应度/光敏度为95 A/W,有效面积直径为5mm.有关SD 197-70-74-591的更多详细信息,请联系我们。
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T1170P
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4 to 12 pFVishay Intertechnology的T1170P是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为4至12 PF,暗电流为1至3 nA,上升时间为100 ns.有关T1170P的更多详细信息,请联系我们。
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T1180P6
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.1 to 1.7 pFVishay Intertechnology的T1180P6是一款光电二极管,波长范围为810 nm,电容为1.1至1.7 PF,暗电流为1至3 nA,上升时间为1480 ns.有关T1180P6的更多详细信息,请联系我们。
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VEMD11940FX01
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.5 to 1.1 pFVishay Intertechnology的VEMD11940FX01是一款光电二极管,波长范围为950 nm,电容为0.5至1.1 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD11940FX01的更多详细信息,请联系我们。
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TEMD7000ITX01
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的TEMD7000ITX01是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至3 nA,上升时间为100 ns.有关TEMD7000ITX01的更多详细信息,请联系我们。
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VEMD1060X01
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.7 to 3.8 pFVishay Intertechnology的VEMD1060X01是一款光电二极管,波长范围为820 nm,电容为1.7至3.8 PF,暗电流为0.01至5 nA,上升时间为60 ns.有关VEMD1060X01的更多详细信息,请联系我们。
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VEMD2020X01
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2020X01是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2020X01的更多详细信息,请联系我们。
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VEMD2003X01
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2003X01是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2003X01的更多详细信息,请联系我们。
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VEMD5160X01
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5160X01是一款光电二极管,波长范围为840 nm,电容为35至80 PF,暗电流为0.2至10 nA,上升时间为30 ns.有关VEMD5160X01的更多详细信息,请联系我们。
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C30641GH-LC
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 9 to 60 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 1.05 A/WExcelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。
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MT03-018
??? No 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 130 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.38 A/W来自Marktech Optoelectronics的MT03-018是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为50至130 PF,暗电流为0.1至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-018的更多详细信息见下文。
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MTAPD-06-001
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息,请联系我们。
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MTAPD-06-011
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-011的更多详细信息,请联系我们。