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光电晶体管

已选
  • 美国
  • NTE Electronics, Inc
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

    确定 取消
  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

    确定 取消
  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

    确定 取消
  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • NTE3036 光电晶体管

    NTE3036

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3036是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.6至1 V，发射极集电极电压（击穿）10至15.5 V，功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3123 光电晶体管

    NTE3123

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3123是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流10 uA，集电极发射极电压（饱和）1 V，导通状态集电极电流0.2至0.8 mA，功耗75 MW.有关NTE3123的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3032 光电晶体管

    NTE3032

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 80 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3032是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）80 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3032的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3037 光电晶体管

    NTE3037

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3037是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.25至0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3034A 光电晶体管

    NTE3034A

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3034A是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.25至0.4 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3031 光电晶体管

    NTE3031

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE30133 光电晶体管

    NTE30133

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自NTE Electronics，Inc的NTE30133是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3039 光电晶体管

    NTE3039

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc生产的NTE3039是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗70 MW.有关NTE3039的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3035A 光电晶体管

    NTE3035A

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 60 V

    NTE Electronics，Inc生产的NTE3035A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为60 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.75至1 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3035A的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3120 光电晶体管

    NTE3120

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 20 V

    来自NTE Electronics，Inc的NTE3120是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为0.01至1 uA，集电极发射极电压（饱和）为1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1至3 mA.有关NTE3120的更多详细信息，请联系我们。