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半导体激光器

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  • II-VI Laser Enterprise GmbH
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光电查为您提供118个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • APA4501010001 半导体激光器

    APA4501010001

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.3-0.45mW/mA(T=25°C), 0.25-0.35mW/mA(T=80°C) 差分电阻: 80-90? 发射波长: 840-860nm 谱宽度，RMS: 0.65nm

    来自II-VI Incorporated的APA4501010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010001的更多详细信息，请联系我们。

  • CMDFB1064B 半导体激光器

    CMDFB1064B

    技术: 分布式反?。―FB） 输出功率（脉冲）: 800 mW 引线焊接温度: 260°C 光纤拉力: 5N 激光反向电流: 10mA

    II-VI CMDFB1064B下一代波长稳定高功率单频单模激光?？楸簧杓朴糜诼龀逭砉庀思す馄骱椭苯颖淦涤τ?。位于激光腔中的分布式反馈光栅（DFB）可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率，这些功率在时间和温度下都非常稳定。

  • CM97A1064BFBG 半导体激光器

    CM97A1064BFBG

    技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 输出功率（脉冲）: 1400 mW CW工作功率在1.1A: 550-650mW 脉冲峰值工作功率(<500ns / 500kHz): 1.2-1.4W 脉冲峰值工作电流(<500ns / 500kHz): 2.2A

    II-VI Incorporated的CM97A1064BFBG是波长为1064±2nm的超宽带激光二极管，CW模式输出功率为550-650mW，脉冲模式输出峰值功率为1.2-1.4W，工作电压为1.7-2.5V，阈值电流为40-80mA，可应用于光纤激光器和传感技术。有关CM97A1064BFBG的更多详细信息，请联系我们。

  • SES22-915-01 半导体激光器

    SES22-915-01

    输出功率: 22W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合处平行光束发散角: 9deg 结合处垂直光束发散角: 29deg

    来自II-VI Incorporated的SES22-915-01是波长为915nm、工作电压为1.65V、工作电流为22A、阈值电流为1100mA的激光二极管。有关SES22-915-01的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4401010001 半导体激光器

    APA4401010001

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.35-0.65mW/mA(I=Ith+1mA) 差分电阻: 45-75?(Iop=6mA, T=25°C - 85°C) 发射波长: 840-860nm(Iop=6.0mA, T=0°C - 85°C) 光谱宽度，均方根: 0.65nm(Iop=6mA, T=25°C - 85°C)

    来自II-VI Incorporated的APA4401010001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.3至2.2mW，工作电压为2.2V，阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401010001的更多详细信息，请联系我们。

  • RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A 半导体激光器

    RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A

    线宽: 0.1nm 功率: 500mW 工作温度: 25°C LD工作电流: 200mA LD工作电压: 1.9V

    II-VI Incorporated的RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A是一款激光器，波长为784.5 nm、785 nm、785.5 nm，功率为500 MW，工作温度为-20至50摄氏度（外壳），存储温度为-20至70摄氏度。有关RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A的更多详细信息，请联系我们。

  • FP12 半导体激光器

    FP12

    技术: Fabry-Perot (FP) 斜率效率比: 0°C, 85°C 1.5 正向电压: P=5mW 1.6V 串联电阻: P=5mW 5-11Ohm 前后功率比: 5-30

    来自II-VI Incorporated的FP12是波长为1260nm、1345nm、工作电压为1.6V、工作电流为110mA、阈值电流为6至15mA的激光二极管。有关FP12的更多详细信息，请联系我们。

  • IND02N800D104 半导体激光器

    IND02N800D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40mA BOL / 48mA EOL 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35 水平发散角: 30-40degree

    II-VI Incorporated的IND02N800D104是波长为1303.54 nm、1304.58 nm、1305.63 nm的激光二极管，输出功率为4 MW，工作电压为1.6 V，阈值电流为15 mA.有关IND02N800D104的更多详细信息，请联系我们。

  • APA7501010009 半导体激光器

    APA7501010009

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.35-0.53mW/mA 差分电阻: 45-75? 发射波长: 840-860nm 谱宽度，RMS: 0.25-0.35nm

    来自II-VI Incorporated的APA7501010009是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.7至2.7mW，工作电压为1.9V，工作电流为5至6mA.有关APA7501010009的更多详细信息，请联系我们。

  • CMDFB1064A 半导体激光器

    CMDFB1064A

    技术: 分布式反馈 (DFB) 输出功率（脉冲）: 300-800 mW

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1064A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1063.5±2nm的激光二极管，CW输出功率150-200mW，脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统，频率转换，光谱学。有关CMDFB1064A的更多详细信息，请联系我们。

  • MLU96A1060CWG 半导体激光器

    MLU96A1060CWG

    工作正向电流: 750mA 工作功率（750mA）: 300-350mW 运行正向电压: 1.5-2.5V 波长（中心）: 1060nm 芯片测试级别波长（250mW）: 1050-1060nm

    II-VI Incorporated的MLU96A1060CWG是一款激光二极管，波长为1060 nm，输出功率为300至350 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为750 mA.有关MLU96A1060CWG的更多详细信息，请联系我们。

  • IND02B000D104 半导体激光器

    IND02B000D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A 斜率效率比: SE0C/SE85C 4 平均偏置电流: BOL 60mA, EOL 72mA 差分电阻: P=5mW 7-10Ohm

    II-VI Incorporated的IND02B000D104是一款激光二极管，波长为1256 nm、1271 nm、1286 nm，输出功率为5.5 MW，工作电压为1.6 V，阈值电流为5至19 mA.有关IND02B000D104的更多详细信息，请联系我们。

  • IND02NB00D104 半导体激光器

    IND02NB00D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40mA@BOL-48mA@EOL 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35 水平发散角: 30-40degree

    来自II-VI Incorporated的IND02NB00D104是波长为1317.28nm、1318.35nm、1319.42nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02NB00D104的更多详细信息，请联系我们。

  • I940-2902-G01 半导体激光器

    I940-2902-G01

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 操作功率: 5.0W 功率转换效率: 39% 芯片机械尺寸: 2.4x3.3x1.2mm2

    II-VI Incorporated的I940-2902-G01是一款激光二极管，输出功率为5 W，输出功率为5 W，工作电压为2.2 V，工作电流为6 A，工作电流为6 A.I940-2902-G01的更多详情见下文。

  • IND02N000D104 半导体激光器

    IND02N000D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流(开机): 40mA 平均偏置电流(关机): 48mA 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35

    来自II-VI Incorporated的IND02N000D104是波长为1268.24nm、1269.23nm、1270.22nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02N000D104的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4401120001 半导体激光器

    APA4401120001

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.35-0.65mW/mA 差分电阻: 45-75? 发射波长: 840-860nm 谱宽度，RMS: 0.65nm

    来自II-VI Incorporated的APA4401120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.3至2.2mW，工作电压为2.2V，阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401120001的更多详细信息，请联系我们。

  • BPC/OPC 40W, 60W & 80W 半导体激光器

    BPC/OPC 40W, 60W & 80W

    技术: Quantum Well 堆栈/阵列: Bar 输出功率: 40W/60W/80W 光谱半高宽（FWHM）: 2.5nm 光谱宽度(90%功率容差): 3.0nm/3.5nm

    来自II-VI Incorporated的BPC/OPC 40W、60W和80W是具有波长790nm、808nm、880nm、工作电压1.7至1.8V、工作电流39至92A、阈值电流7至24A的激光二极管。BPC/OPC 40W、60W和80W的更多细节可以在下面看到。

  • SEC4-808C-01 半导体激光器

    SEC4-808C-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 4W 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角（平行）: 6deg

    II-VI Incorporated的SEC4-808C-01是一款激光二极管，波长为808 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为4 A，阈值电流为0.6 A.SEC4-808C-01的更多详细信息见下文。

  • SES4-808B-01 半导体激光器

    SES4-808B-01

    输出功率: 4W 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角（平行）: 6deg 结合发散角（垂直）: 27deg

    II-VI Incorporated的SES4-808B-01是波长为803 nm、工作电压为1.9 V、工作电流为4 A、阈值电流为600 mA的激光二极管。有关SES4-808B-01的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4501120001 半导体激光器

    APA4501120001

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.25-0.45mW/mA 差分电阻: 80-90? 发射波长: 840-860nm 谱宽度，RMS: 0.65nm

    来自II-VI Incorporated的APA4501120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501120001的更多详细信息，请联系我们。