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半导体激光器

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  • II-VI Laser Enterprise GmbH
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光电查为您提供118个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • IND02N600D104 半导体激光器

    IND02N600D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40mA~48mA 差分电阻: 7~10Ohm 前后输出功率比: 5.3~35 水平发散角: 30~40degree

    来自II-VI Incorporated的IND02N600D104是波长为1294.53nm、1295.56nm、1296.59nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02N600D104的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4301120002 半导体激光器

    APA4301120002

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array 斜率效率: 0.35-0.53mW/mA 差分电阻: 45-75? 发射波长: 840-860nm

    来自II-VI Incorporated的APA4301120002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.4至2.2mW，工作电压为1.9至2.1V，阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301120002的更多详细信息，请联系我们。

  • MLU96Z-系列 半导体激光器

    MLU96Z-系列

    II-VI Incorporated的MLU96Z系列是采用紧凑型3引脚微型封装的非冷却980 nm泵浦激光?？?，旨在满足当前和下一代高比特率收发器中超紧凑型放大的严格可靠性和能效要求。激光?？榈奶寤鑫?41立方毫米，采用80微米小弯曲半径保偏光纤尾纤，可在小型收发器封装内实现光放大。它们在典型使用条件下的功耗不到0.5瓦，最高工作温度可达85°C，可满足可插拔收发器的关键功耗要求。

  • CM97-750-76PM 半导体激光器

    CM97-750-76PM

    技术: 光纤布拉格光栅（FBG） 光谱半高宽（FWHM）: 0.2 nm 阈值电流: 60-80mA 最大不产生折射率突变电流: 1500mA 工作前向电压: 2.0-2.2V

    来自II-VI Incorporated的CM97-750-76PM波长为976±1nm，被设计为掺铒光纤放大器（EDFA）应用的泵浦源。CM97-750-76PM泵浦?？椴捎霉庀瞬祭窆庹ぃ‵BG）设计，以增强波长和功率稳定性。该产品的设计可确保优于驱动电流和外壳温度的波长锁定。可提供750mW的无扭结输出功率，可应用于光纤激光器，传感技术，EDFA。有关CM97-750-76PM的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4401040001 半导体激光器

    APA4401040001

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.35-0.65mW/mA 差分电阻: 45-75? 发射波长: 840-860nm 谱宽度，RMS: 0.65nm

    来自II-VI Incorporated的APA4401040001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.3至2.2mW，工作电压为2.2V，阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401040001的更多详细信息，请联系我们。

  • SEC8-808A-01 半导体激光器

    SEC8-808A-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 8W 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角（平行）: 6deg

    II-VI Incorporated的SEC8-808A-01是一种激光二极管，其波长为806 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SEC8-808A-01的更多细节见下文。

  • SEC9-915-01 半导体激光器

    SEC9-915-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 9W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角（平行）: 8deg

    来自II-VI Incorporated的SEC9-915-01是波长为915nm、工作电压为1.9V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SEC9-915-01的更多详细信息，请联系我们。

  • CMDFB1030A 半导体激光器

    CMDFB1030A

    技术: 分布式反馈(DFB) 输出功率（脉冲）: 300-800 mW 工作CW电流: 400mA CW输出功率: 150-200mW 光脉冲宽度: 10-200ns

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1030A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1030±2nm的激光二极管，CW输出功率150-200mW，脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统，频率转换，光谱学。有关CMDFB1030A的更多详细信息，请联系我们。

  • SEC4-808B-01 半导体激光器

    SEC4-808B-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 4W 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合处平行光束发散角: 6deg

    II-VI Incorporated的SEC4-808B-01是一款激光二极管，波长为803 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为4 A，阈值电流为0.6 A.SEC4-808B-01的更多详情见下文。

  • SEC9-940-01 半导体激光器

    SEC9-940-01

    技术: Quantum Well

    来自II-VI Incorporated的SEC9-940-01是波长为940nm、工作电压为1.9V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SEC9-940-01的更多详细信息，请联系我们。

  • IND02NA00D104 半导体激光器

    IND02NA00D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40-48mA@BOL-EOL 差分电阻: 7-10Ohm@P=4mW 前后输出功率比: 5.3-35 旁模抑制比: 35dB@DC bias current 40mA at 55°C

    来自II-VI Incorporated的IND02NA00D104是波长为1312.67nm、1313.73nm、1314.79nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02NA00D104的更多详细信息，请联系我们。

  • IND02N900D104 半导体激光器

    IND02N900D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流（BOL）: 40mA 平均偏置电流（EOL）: 48mA 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35

    来自II-VI Incorporated的IND02N900D104是波长为1308.09nm、1309.14nm、1310.19nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02N900D104的更多详细信息，请联系我们。

  • BH3FP 半导体激光器

    BH3FP

    技术: Fabry-Perot (FP) 阈值电流: 95°C 8-12mA, 25°C 2.6mA 斜率效率比: 0°C, 85°C 1.7mW 正向电压: Po=5mW 1.6V 串联电阻: Po=5mW 5-11Ohm

    来自II-VI Incorporated的BH3FP是波长为1260nm、1345nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为2.6至12mA的激光二极管。有关BH3FP的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4301010002 半导体激光器

    APA4301010002

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array 斜率效率: 0.34-0.52mW/mA 差分电阻: 45-75? 发射波长: 840-860nm

    来自II-VI Incorporated的APA4301010002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.4至2.2mW，工作电压为1.9至2.1V，阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301010002的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4301040002 半导体激光器

    APA4301040002

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array 斜率效率: 0.34-0.52mW/mA 差分电阻: 45-75? 发射波长: 840-860nm

    来自II-VI Incorporated的APA4301040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.4至2.2mW，工作电压为1.9至2.1V，阈值电流为0.8至1.1mA.有关APA4301040002的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4501010002 半导体激光器

    APA4501010002

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.25-0.45mW/mA 差分电阻: 80-90? 发射波长: 840-860nm 谱宽度，RMS: 0.6nm

    来自II-VI Incorporated的APA4501010002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501010002的更多详细信息，请联系我们。

  • APA4501040002 半导体激光器

    APA4501040002

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.25-0.45mW/mA 差分电阻: 80-90? 发射波长: 840-860nm 谱宽度，RMS: 0.6nm

    来自II-VI Incorporated的APA4501040002是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管，输出功率为1.5至2.2mW，工作电压为2.1至2.2V，阈值电流为0.7至1.2mA.有关APA4501040002的更多详细信息，请联系我们。

  • APA8501010001 半导体激光器

    APA8501010001

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.20-0.65mW/mA 差分电阻: 20-90? 单模光输出功率: 0.9mW 偏振方向精度: -15-+15deg

    II-VI Incorporated的APA8501010001是一款激光二极管，波长为840 nm、850 nm、860 nm，输出功率为0.9 MW（SM），工作电压为2.3 V，工作电流为2.3至6 mA.有关APA8501010001的更多详细信息，请联系我们。

  • BMU100/120-976S-02-R 半导体激光器

    BMU100/120-976S-02-R

    输出功率: 100-120W 中心波长: 975.5-976.5nm 稳定波长电流范围: 5-10A 光谱半高宽（FWHM）: <0.6nm 波长温度系数: 0.01-0.02nm/°C

    II-VI Incorporated的BMU100/120-976S-02-R是976 nm泵浦激光?？?，具有高达120 W的波长稳定输出功率。该模块采用新一代多模激光二极管，具有E2前镜钝化功能，可防止激光二极管端面发生灾难性光学损伤（COD）。激光二极管串联连接，以实现快速电流切换。该?？榘ㄒ桓龇蠢”；ぢ瞬ㄆ?，可保护激光二极管免受有害的光纤激光器波长反馈光的影响。精确的波长稳定性减少了激光系统的预热时间和维护，提高了生产率。这种波长稳定的泵浦激光器?？槭浅旃庀思す馄鞅闷帧⒊?、医疗、分析和直接应用的理想选择。

  • BPC/OPC 80W 半导体激光器

    BPC/OPC 80W

    技术: Quantum Well 堆栈/阵列: Bar 输出功率: 80W 光谱半高宽（FWHM）: 3.0nm/4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C

    II-VI Incorporated的BPC/OPC 80W是一种激光二极管，其波长为915 nm、940 nm、980 nm、1030 nm，工作电压为1.5至1.65 V，工作电流为81至83 A，阈值电流为8 A.