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半导体激光器

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  • II-VI Laser Enterprise GmbH
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  • DFB15 半导体激光器

    DFB15

    技术: Distributed Feedback (DFB) 正向电压: 1.6V@P=5mW 串联电阻: 4-9Ohm@P=5mW 前后功率比: 10-60 旁模抑制比: 35dB@P=5mW

    II-VI Incorporated的DFB15是一款激光二极管,波长为1269.5 nm、1289.5 nm、1309.5 nm,工作电压为1.6 V,阈值电流为8至29 mA,工作温度为0至85摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。

  • HPC 50W 半导体激光器

    HPC 50W

    技术: Quantum Well 堆栈/阵列: Bar 输出功率: 50W 光谱半高宽(FWHM): 3nm/3nm/3nm/3nm/4nm 光谱宽度(90%功率容量): 4nm/4nm/4nm/4nm/5nm

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • IND02B000D102 半导体激光器

    IND02B000D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A 饱和电流: 80-100mA 差分电阻: 7-10Ohm 电容: 1.2pF

    来自II-VI Incorporated的IND02B000D102是波长为1270nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02B000D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02B100D102 半导体激光器

    IND02B100D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率比: SE0C/SE85C 4 饱和电流: 85°C 80-100mA 差分电阻: P=5mW, 85°C 7-10Ohm 电容: 1.2pF

    来自II-VI Incorporated的IND02B100D102是波长为1310nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02B100D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02B100D104 半导体激光器

    IND02B100D104

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A 斜率效率比: SE0C/SE85C 4 平均偏置电流: BOL 60mA, EOL 72mA 差分电阻: P=5mW 7-10Ohm

    来自II-VI Incorporated的IND02B100D104是波长为1296 nm、1311 nm、1326 nm的激光二极管,输出功率为5.5 MW,工作电压为1.6 V,阈值电流为5至19 mA.有关IND02B100D104的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02B200D102 半导体激光器

    IND02B200D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 5-17mA 斜率效率: 0.1-0.2W/A 斜率效率比: 4 饱和电流: 80-100mA

    来自II-VI Incorporated的IND02B200D102是波长为1330nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02B200D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02C000D102 半导体激光器

    IND02C000D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A(85°C) 斜率效率比: SE0C/SE85C=4 饱和电流: 80-100mA(85°C) 差分电阻: 7-10Ohm(Po=5mW, 85°C)

    来自II-VI Incorporated的IND02C000D102是波长为1271 nm、工作电压为1.6 V、工作电流为60至80 mA、阈值电流为5至17 mA的激光二极管。有关IND02C000D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02C100D102 半导体激光器

    IND02C100D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 85°C 11-17mA, 25°C 5mA 斜率效率比: SE0C/SE85C 4 饱和电流: 85°C 80-100mA 差分电阻: P=5mW, 85°C 7-10Ohm

    来自II-VI Incorporated的IND02C100D102是波长为1291 nm、工作电压为1.6 V、工作电流为60至80 mA、阈值电流为5至17 mA的激光二极管。有关IND02C100D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02C200D102 半导体激光器

    IND02C200D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 11-17mA@85°C, 5mA@25°C 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: SE0C/SE85C=4 饱和电流: 80-100mA@85°C

    来自II-VI Incorporated的IND02C200D102是波长为1311nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02C200D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02C300D102 半导体激光器

    IND02C300D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 25°C 5mA; 85°C 11-17mA 斜率效率比: 0°C, 85°C 4 饱和电流: 85°C 80-100mA 工作电压: Po=5mW 1.6V

    来自II-VI Incorporated的IND02C300D102是波长为1331nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02C300D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02C400D102 半导体激光器

    IND02C400D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 11-17mA@85°C, 5mA@25°C 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: 4 饱和电流: 80-100mA@85°C

    来自II-VI Incorporated的IND02C400D102是波长为1351nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02C400D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02C500D102 半导体激光器

    IND02C500D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: SE0C/SE85C=4 饱和电流: 80-100mA@85°C 差分电阻: 7-10Ohm@Po=5mW, 85°C

    来自II-VI Incorporated的IND02C500D102是波长为1371 nm、工作电压为1.6 V、工作电流为60至80 mA、阈值电流为5至17 mA的激光二极管。有关IND02C500D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02D100D102 半导体激光器

    IND02D100D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 11-17mA@85°C, 5mA@25°C 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: 4@0°C/85°C 饱和电流: 80-100mA@85°C

    来自II-VI Incorporated的IND02D100D102是波长为1284.5nm、1291nm、1297.5nm、输出功率为5.5mW、工作电压为1.6V、阈值电流为5至19mA的激光二极管。有关IND02D100D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02D200D102 半导体激光器

    IND02D200D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率比: 0°C, 85°C 4 饱和电流: 85°C 80-100mA 差分电阻: P=5mW, 85°C 7-10Ohm 电容: 1.2pF

    来自II-VI Incorporated的IND02D200D102是波长1304.5nm、1311nm、1317.5nm、输出功率5.5mW、工作电压1.6V、阈值电流5至19mA的激光二极管。有关IND02D200D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02L000D102 半导体激光器

    IND02L000D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 5-17mA 斜率效率: 0.1-0.2W/A 斜率效率比: 4 饱和电流: 80-100mA

    来自II-VI Incorporated的IND02L000D102是波长为1273.54nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L000D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02L100D102 半导体激光器

    IND02L100D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 5-17mA 斜率效率: 0.1-0.2W/A 斜率效率比: 4 饱和电流: 80-100mA

    来自II-VI Incorporated的IND02L100D102是波长为1277.89nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L100D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02L200D102 半导体激光器

    IND02L200D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A 斜率效率比: 4 饱和电流: 80-100mA 差分电阻: 7-10Ohm

    来自II-VI Incorporated的IND02L200D102是波长为1282.26nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L200D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02L300D102 半导体激光器

    IND02L300D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 5-17mA 斜率效率: 0.1-0.2W/A 饱和电流: 80-100mA 差分电阻: 7-10Ohm

    来自II-VI Incorporated的IND02L300D102是波长为1286.66nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L300D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02L400D102 半导体激光器

    IND02L400D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A 斜率效率比: 4 饱和电流: 80-100mA 差分电阻: 7-10Ohm

    来自II-VI Incorporated的IND02L400D102是波长为1295.56nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L400D102的更多详细信息,请联系我们。

  • IND02L500D102 半导体激光器

    IND02L500D102

    技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 11-17mA@85°C, 5mA@25°C 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: SE0C/SE85C=4 饱和电流: 80-100mA@85°C

    来自II-VI Incorporated的IND02L500D102是波长为1300.05nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L500D102的更多详细信息,请联系我们。