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  IND02L600D102

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 11-17mA@85°C, 5mA@25°C 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: SE0C/SE85C=4 饱和电流: 80-100mA@85°C

  来自II-VI Incorporated的IND02L600D102是波长1304.58nm、工作电压1.6V、工作电流60至80mA、阈值电流5至17mA的激光二极管。有关IND02L600D102的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02L700D102

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 25°C 5 mA, 85°C 11-17 mA 斜率效率: 85°C 0.1-0.2 W/A 斜率效率比: 0°C, 85°C 4 饱和电流: 85°C 80-100 mA

  来自II-VI Incorporated的IND02L700D102是波长为1309.14nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L700D102的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02L800D102

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: 4SE0C/SE85C 饱和电流: 80-100mA@85°C 差分电阻: 7-10Ohm@Po=5mW, 85°C

  来自II-VI Incorporated的IND02L800D102是波长为1291.1nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L800D102的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02L900D102

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 11-17mA@85°C, 5mA@25°C 斜率效率: 0.1-0.2W/A@85°C 斜率效率比: SE0C/SE85C=4 饱和电流: 80-100mA@85°C

  来自II-VI Incorporated的IND02L900D102是波长为1313.73nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L900D102的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02LA00D102

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 阈值电流: 85°C 11-17mA, 25°C 5mA 斜率效率比: SE0C/SE85C 4 饱和电流: 85°C 80-100mA 差分电阻: Po=5mW, 85°C 7-10Ohm

  来自II-VI Incorporated的IND02LA00D102是波长为1269.23nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02LA00D102的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02N100D104

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40mA(BOL), 48mA(EOL) 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35 水平发散角: 30-40degree

  来自II-VI Incorporated的IND02N100D104是波长为1272.55nm、1273.54nm、1274.54nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02N100D104的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02N200D104

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流(开机): 40mA 平均偏置电流(关机): 48mA 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35

  II-VI Incorporated的IND02N200D104是波长为1276.89nm、1277.89nm、1278.89nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02N200D104的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02N300D104

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40mA~48mA 差分电阻: 7~10Ohm 前后输出功率比: 5.3~35 水平发散角: 30~40degree

  II-VI公司的IND02N300D104是一种激光二极管，波长为1281.25 nm、1282.26 nm、1283.27 nm，输出功率为4 MW，工作电压为1.6 V，阈值电流为15 mA.有关IND02N300D104的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02N400D104

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40-48mA 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35 水平发散角: 30-40degree

  II-VI公司的IND02N400D104是一种激光二极管，波长为1285.65 nm、1286.66 nm、1287.68 nm，输出功率为4 MW，工作电压为1.6 V，阈值电流为15 mA.有关IND02N400D104的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02N500D104

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流(开机): 40mA 平均偏置电流(关机): 48mA 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35

  来自II-VI Incorporated的IND02N500D104是波长为1290.07nm、1291.1nm、1292.12nm的激光二极管，输出功率为4mW，工作电压为1.6V，阈值电流为15mA.有关IND02N500D104的更多详细信息，请联系我们。

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  IND02N700D104

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Distributed Feedback (DFB) 平均偏置电流: 40mA@BOL, 48mA@EOL 差分电阻: 7-10Ohm 前后输出功率比: 5.3-35 水平发散角: 30-40degree

  来自II-VI Incorporated的IND02N700D104是波长为1299.02 nm、1300.05 nm、1301.09 nm的激光二极管，输出功率为4 MW，工作电压为1.6 V，阈值电流为15 mA.有关IND02N700D104的更多详细信息，请联系我们。

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  RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  来自II-VI Incorporated的RLAS-0785-0500-N-MM-10-01-02-A是波长为784.5至785.5nm、输出功率为500mW、工作电压为1.9至2.5V、工作电流为0至1.3A、工作温度为-20至50℃的激光二极管。

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  SEC4-808A-01

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Quantum Well 输出功率: 4W 中心波长: 806±3nm 中心波长: 803±3nm 中心波长: 808±2.5nm

  II-VI Incorporated的SEC4-808A-01是一款激光二极管，波长为806 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为4 A，阈值电流为0.6 A.SEC4-808A-01的更多详细信息见下文。

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  SEC8-808B-01

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Quantum Well 输出功率: 8W 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角: θ// 6deg

  II-VI Incorporated的SEC8-808B-01是一款激光二极管，波长为803 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SEC8-808B-01的更多详情见下文。

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  SEC8-808C-01

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Quantum Well 输出功率: 8W 中心波长: 808±2.5nm 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C

  II-VI Incorporated的SEC8-808C-01是一款激光二极管，波长为808 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SEC8-808C-01的更多详情见下文。

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  SEC9-975-01

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Quantum Well 输出功率: 9W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角（平行）: 8deg

  来自II-VI Incorporated的SEC9-975-01是波长为975nm、工作电压为1.9V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SEC9-975-01的更多详细信息，请联系我们。

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  SES12-9xx-03

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  技术: Quantum Well 输出功率: 12W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合平行发散角: θ// 8deg

  II-VI Incorporated的SES12-9xx-03是一款单发射器激光二极管，工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.它提供高达12 W的输出功率，并具有4 nm的光谱宽度（FWHM）。该激光器需要1.7 V的直流电压，阈值电流高达550 mA.它的设计采用了专有的E2前镜钝化工艺，可防止灾难性的光学损伤（COD）。激光二极管的尺寸为400 X 150 X 90μm，非常适合光纤激光器泵浦、材料加工和医疗应用。

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  SES13-915-94-01

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  输出功率: 13W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合方向发散角(半高全宽): 8.5deg 垂直方向发散角(半高全宽): 27deg

  II-VI Incorporated的SES13-915-94-01是波长为915nm、工作电压为1.65V、工作电流为13A、阈值电流为550mA的激光二极管。有关SES13-915-94-01的更多详细信息，请联系我们。

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  SES13-940-94-01

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  II-VI Incorporated的SES13-940-94-01是波长为940nm、工作电压为1.65V、工作电流为13A、阈值电流为550mA的激光二极管。有关SES13-940-94-01的更多详细信息，请联系我们。

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  SES13-975B-94-01

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  输出功率: 13W 中心波长: 915±10nm 中心波长: 940±10nm 中心波长: 976±3nm 光谱半高宽（FWHM）: 4nm

  来自II-VI Incorporated的SES13-975B-94-01是波长为976nm、工作电压为1.65V、工作电流为13A、阈值电流为550mA的激光二极管。有关SES13-975B-94-01的更多详细信息，请联系我们。