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半导体激光器

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  • II-VI Laser Enterprise GmbH
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光电查为您提供118个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • SES22-975-01 半导体激光器

    SES22-975-01

    输出功率: 22W 中心波长: 915±10nm 中心波长: 975±10nm 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C

    来自II-VI Incorporated的SES22-975-01是波长为975nm、工作电压为1.65V、工作电流为22A、阈值电流为1100mA的激光二极管。有关SES22-975-01的更多详细信息，请联系我们。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器

    SES22-9xx-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 22W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角（平行）: 9deg

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下，专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤（COD）。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上，热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长（其他可根据要求提供）。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • SES4-808A-01 半导体激光器

    SES4-808A-01

    输出功率: 4W 中心波长: 806±3nm 中心波长: 803±3nm 中心波长: 808±2.5nm 光谱半高宽（FWHM）: 2nm

    II-VI Incorporated的SES4-808A-01是波长为806nm、工作电压为1.9V、工作电流为4A、阈值电流为600mA的激光二极管。有关SES4-808A-01的更多详细信息，请联系我们。

  • SES4-808C-01 半导体激光器

    SES4-808C-01

    输出功率: 4W 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合处平行光束发散角: 6deg 结合处垂直光束发散角: 27deg

    II-VI Incorporated的SES4-808C-01是波长为808nm、工作电压为1.9V、工作电流为4A、阈值电流为600mA的激光二极管。有关SES4-808C-01的更多详细信息，请联系我们。

  • SES4-940-01 半导体激光器

    SES4-940-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 4W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合方向发散角(半高全宽): 7deg

    来自II-VI Incorporated的SES4-940-01是波长为940nm、工作电压为1.7V、工作电流为5A、阈值电流为250mA的激光二极管。有关SES4-940-01的更多详细信息，请联系我们。

  • SES4-940B-01 半导体激光器

    SES4-940B-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 4W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合处平行光束发散角: 7deg

    II-VI Incorporated的SES4-940B-01是波长为940nm、工作电压为1.7V、工作电流为5A、阈值电流为250mA的激光二极管。有关SES4-940B-01的更多详细信息，请联系我们。

  • SES8-808A-01 半导体激光器

    SES8-808A-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 8W 中心波长: 806±3nm 中心波长: 803±3nm 中心波长: 808±2.5nm

    II-VI Incorporated的SES8-808A-01是一款激光二极管，波长为806 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SES8-808A-01的更多详情见下文。

  • SES8-808B-01 半导体激光器

    SES8-808B-01

    技术: Quantum Well

    II-VI Incorporated的SES8-808B-01是一款激光二极管，波长为803 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SES8-808B-01的更多详情见下文。

  • SES8-808C-01 半导体激光器

    SES8-808C-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 8W 光谱半高宽（FWHM）: 2nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角（平行）: 6deg

    II-VI Incorporated的SES8-808C-01是一款激光二极管，波长为808 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为8 A，阈值电流为1.2 A.SES8-808C-01的更多详情见下文。

  • SES9-915-01 半导体激光器

    SES9-915-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 9W 光谱半高宽（FWHM）: 4nm 波长随温度变化: 0.3nm/°C 结合发散角: θ// 8deg

    来自II-VI Incorporated的SES9-915-01是波长为915nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-915-01的更多详细信息，请联系我们。

  • SES9-940-01 半导体激光器

    SES9-940-01

    技术: Quantum Well 输出功率: 9W 中心波长1: 915±10nm 中心波长1: 940±10nm 中心波长1: 975±10nm

    来自II-VI Incorporated的SES9-940-01是波长为940nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-940-01的更多详细信息，请联系我们。

  • SES9-975-01 半导体激光器

    SES9-975-01

    技术: Quantum Well

    来自II-VI Incorporated的SES9-975-01是波长为975nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-975-01的更多详细信息，请联系我们。

  • V894-2130-002 半导体激光器

    V894-2130-002

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 斜率效率: 0.07-0.19mW/mA 偏振方向: 0或90° 单模操作范围: 2.0mA 调制带宽: 6GHz

    II-VI Incorporated的V894-2130-002是波长894.593nm、输出功率0.05mW、工作电流0.5mA、工作电流0.5mA的激光二极管。有关V894-2130-002的更多详细信息，请联系我们。

  • V940-8904-G01 半导体激光器

    V940-8904-G01

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array 峰值功率: 110W

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL（激光器）阵列，工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流，这降低了电感对上升时间的影响，最大限度地减少了电磁干扰（EMI），并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机（移动、物联网）应用的理想选择。

  • VGP00012v5 半导体激光器

    VGP00012v5

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array 操作功率: 3.75W 功率转换效率: 44% 芯片机械尺寸: 900x1000μm2

    II-VI Incorporated的VGP00012V5是一款激光二极管，输出功率为3.75 W，输出功率为3.75 W，工作电压为2.15 V，工作电流为4 A.有关VGP00012V5的更多详细信息，请联系我们。

  • VGP00014v5 半导体激光器

    VGP00014v5

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 运行功率: 17mW 功率转换效率: 40% 芯片机械尺寸: 175x175μm2

    II-VI Incorporated的VGP00014V5是一款激光二极管，输出功率为17 MW，工作电压为2.25 V，工作电流为20 mA，工作电流为20 mA.有关VGP00014V5的更多详细信息，请联系我们。

  • VGP00017v5 半导体激光器

    VGP00017v5

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array 操作功率: 2.6W 功率转换效率: 42% 芯片机械尺寸: 780x680μm2

    II-VI Incorporated的VGP00017V5是一款激光二极管，输出功率2.6 W，输出功率2.6 W，工作电压2.2 V，工作电流2.8 A.VGP00017V5的更多详情见下文。

  • VGP00020v5 半导体激光器

    VGP00020v5

    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array 操作功率: 5.25W 功率转换效率: 39% 芯片机械尺寸: 980x730μm2

    II-VI Incorporated的VGP00020V5是一款激光二极管，输出功率为5.25 W，输出功率为5.25 W，工作电压为2.25 V，工作电流为6 A.VGP00020V5的更多详情见下文。