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半导体激光器

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  • D4-7-405-70 半导体激光器

    D4-7-405-70

    激光增益介质: GaN based

    D4-7-405-70是EGISMOS技术公司生产的激光二极管，波长400~410nm，输出功率0.07W，工作电压6V，工作电流0.085~0.11A，阈值电流40~60mA.有关D4-7-405-70的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-650-7-P 半导体激光器

    D6-7-650-7-P

    D6-7-650-7-P（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.007W，工作电压为2.2~2.5V，工作电流为25~30mA，阈值电流为20~25mA.有关D6-7-650-7-P的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-6-515-10 半导体激光器

    D6-6-515-10

    激光增益介质: InGaN-based

    来自EGISMOS技术公司的D6-6-515-10是基于InGaN的绿色激光二极管，其工作在515nm.该激光器提供高达10 MW的输出功率，需要6 V的电源电压，同时消耗高达100 mA的电流。

  • D6-7-650-7-N 半导体激光器

    D6-7-650-7-N

    D6-7-650-7-N（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.007W，工作电压为2.2~2.5V，工作电流为27~35mA，阈值电流为20~25mA.有关D6-7-650-7-N的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-405-300 半导体激光器

    D6-5-405-300

    激光增益介质: GaN based

    D6-5-405-300是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为395至415nm，输出功率为0.3W，工作电压为4.6至5.5V，工作电流为0.28至0.43A，阈值电流为140至200mA.有关D6-5-405-300的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-7-450-50 半导体激光器

    D4-7-450-50

    激光增益介质: GaN based

    来自EGISMOS技术公司的D4-7-450-50是波长为440至460nm、输出功率为0.05W、工作电压为5.5至6.5V、工作电流为0.08至0.12A、阈值电流为30至60mA的激光二极管。有关D4-7-450-50的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-660-50-N 半导体激光器

    D6-7-660-50-N

    激光增益介质: AIGaInP

    D6-7-660-50-N（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650至670 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为2.6至3 V，工作电流为0.09至0.12 A，阈值电流为45至60 mA.有关D6-7-660-50-N的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-6-520-30 半导体激光器

    D6-6-520-30

    激光增益介质: InGaN-based

    D6-6-520-30是一种激光二极管，其波长为510~530nm，输出功率为0.03W，工作电压为6.7~8V，工作电流为0.12~0.14A，阈值电流为50~75mA.有关D6-6-520-30的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-635-5 半导体激光器

    D6-5-635-5

    D6-5-635-5（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为635nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.5V，工作电流为35~40mA，阈值电流为25~30mA.有关D6-5-635-5的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-650-5-P 半导体激光器

    D6-5-650-5-P

    D6-5-650-5-P是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.6V，工作电流为32~42mA，阈值电流为24~30mA.有关D6-5-650-5-P的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-7-405-120 半导体激光器

    D4-7-405-120

    激光增益介质: GaN based

    D4-7-405-120是EGISMOS技术公司生产的激光二极管，波长400~410nm，输出功率0.12W，工作电压6V，工作电流0.1~0.15A，阈值电流40~60mA.有关D4-7-405-120的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-7-405-200 半导体激光器

    D4-7-405-200

    激光增益介质: GaN based

    D4-7-405-200是一种激光二极管，其波长为400~410nm，输出功率为0.2W，工作电压为6V，工作电流为0.21~0.23A，阈值电流为70~80mA.有关D4-7-405-200的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-7-450-80 半导体激光器

    D4-7-450-80

    激光增益介质: GaN based

    D4-7-450-80是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为440至460nm，输出功率为0.08W，工作电压为5.8至7V，工作电流为0.1至0.145A，阈值电流为30至60mA.有关D4-7-450-80的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-3-450-200 半导体激光器

    D4-3-450-200

    激光增益介质: GaN based

    D4-3-450-200是EGISMOS技术公司生产的激光二极管，波长为440~460nm，输出功率为0.2W，工作电压为7V，工作电流为0.26~0.26A，阈值电流为50mA.有关D4-3-450-200的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-5-635-120 半导体激光器

    D4-5-635-120

    激光增益介质: AIGaInP

    D4-5-635-120是一种激光二极管，其波长为630~645nm，输出功率为0.12W，工作电压为2.5~3V，工作电流为0.16~0.185A，阈值电流为50mA.有关D4-5-635-120的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-6-515-30 半导体激光器

    D4-6-515-30

    激光增益介质: InGaN-based

    D4-6-515-30是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为510至530 nm，输出功率为0.03 W，工作电压为6.7至8 V，工作电流为0.12至0.14 A，阈值电流为50至75 mA.有关D4-6-515-30的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-6-520-30 半导体激光器

    D4-6-520-30

    激光增益介质: InGaN-based

    D4-6-520-30是一种激光二极管，其波长为510~530nm，输出功率为0.03W，工作电压为6.7~8V，工作电流为0.12~0.14A，阈值电流为50~75mA.有关D4-6-520-30的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-6-520-60 半导体激光器

    D4-6-520-60

    激光增益介质: InGaN-based

    D4-6-520-60是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为510至530nm，输出功率为0.06W，工作电压为7至8V，工作电流为0.16至0.17A，阈值电流为45至75mA.有关D4-6-520-60的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-7-405-150 半导体激光器

    D4-7-405-150

    激光增益介质: GaN based

    D4-7-405-150是一种激光二极管，其波长为400~410nm，输出功率为0.15W，工作电压为6V，工作电流为0.14~0.17A，阈值电流为40~60mA.有关D4-7-405-150的更多详细信息，请联系我们。

  • D4-7-450-100 半导体激光器

    D4-7-450-100

    激光增益介质: GaN based

    D4-7-450-100是一种激光二极管，其波长为440~460nm，输出功率为0.1W，工作电压为6V，工作电流为0.14~0.14A，阈值电流为50mA.有关D4-7-450-100的更多详细信息，请联系我们。