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半导体激光器

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  • D6-4-635-180 半导体激光器

    D6-4-635-180

    激光增益介质: AIGaInP

    D6-4-635-180是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为630至645 nm，输出功率为0.18 W，工作电压为2.55至3 V，工作电流为0.215至0.24 A，阈值电流为70至90 mA.有关D6-4-635-180的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-635-10 半导体激光器

    D6-5-635-10

    D6-5-635-10是一种激光二极管，其波长为635nm，输出功率为0~0.01W，工作电压为2.2~2.5V，工作电流为55~65mA，阈值电流为35~40mA.有关D6-5-635-10的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-635-20 半导体激光器

    D6-5-635-20

    D6-5-635-20是一种激光二极管，其波长为635nm，输出功率为0~0.02W，工作电压为2.3~2.5V，工作电流为70~85mA，阈值电流为50~60mA.有关D6-5-635-20的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-635-30 半导体激光器

    D6-5-635-30

    D6-5-635-30是一种激光二极管，其波长为635nm，输出功率为0~0.03W，工作电压为2.3~2.5V，工作电流为90~105mA，阈值电流为50~60mA.有关D6-5-635-30的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-650-10 半导体激光器

    D6-5-650-10

    D6-5-650-10是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.01W，工作电压为2.3~2.5V，工作电流为36~45mA，阈值电流为20~25mA.有关D6-5-650-10的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-650-30-N 半导体激光器

    D6-5-650-30-N

    D6-5-650-30-N（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.03W，工作电压为2.1~2.6V，工作电流为95~105mA，阈值电流为58~68mA.有关D6-5-650-30-N的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-5-650-5-N 半导体激光器

    D6-5-650-5-N

    D6-5-650-5-N（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.6V，工作电流为28~40mA，阈值电流为21~30mA.有关D6-5-650-5-N的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-6-520-50 半导体激光器

    D6-6-520-50

    激光增益介质: InGaN-based

    D6-6-520-50是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为510至530nm，输出功率为0.05W，工作电压为7至8V，工作电流为0.15至0.16A，阈值电流为45至75mA.有关D6-6-520-50的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-6-635-180 半导体激光器

    D6-6-635-180

    D6-6-635-180是EGISMOS Technology Corporation生产的激光二极管，波长为635 nm，输出功率为0~0.18 W，工作电压为2.55~3 V，工作电流为215~240 mA，阈值电流为70~90 mA.有关D6-6-635-180的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-405-20-M 半导体激光器

    D6-7-405-20-M

    激光增益介质: GaN Laser

    来自EGISMOS技术公司的D6-7-405-20-M是基于GaN的蓝色激光二极管，其工作在405nm.它的输出功率为20 MW，功耗高达60 mA.该激光二极管采用5.6 mm TO CAN封装，是医疗仪器和航空航天应用的理想选择。

  • D6-7-405-20 半导体激光器

    D6-7-405-20

    激光增益介质: GaN based

    D6-7-405-20是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为395至415nm，输出功率为0.02W，工作电压为5.2至5.6V，工作电流为0.045至0.06A，阈值电流为26至50mA.有关D6-7-405-20的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-405-250 半导体激光器

    D6-7-405-250

    激光增益介质: GaN based

    D6-7-405-250是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为395至415nm，输出功率为0.25W，工作电压为4.7至5.7V，工作电流为0.25至0.31A，阈值电流为30至70mA.有关D6-7-405-250的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-405-40 半导体激光器

    D6-7-405-40

    激光增益介质: GaN based

    D6-7-405-40是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为395至415nm，输出功率为0.04W，工作电压为5.2至5.8V，工作电流为0.075至0.1A，阈值电流为35至55mA.有关D6-7-405-40的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-650-30-P 半导体激光器

    D6-7-650-30-P

    D6-7-650-30-P是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0至0.03W，工作电压为2.4至3V，工作电流为65至100mA，阈值电流为35至50mA.有关D6-7-650-30-P的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-650-5-N 半导体激光器

    D6-7-650-5-N

    D6-7-650-5-N是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.5V，工作电流为32~40mA，阈值电流为24~30mA.有关D6-7-650-5-N的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-650-5-P 半导体激光器

    D6-7-650-5-P

    D6-7-650-5-P是一种激光二极管，其波长为650nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.1~2.6V，工作电流为32~42mA，阈值电流为24~30mA.有关D6-7-650-5-P的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-660-100 半导体激光器

    D6-7-660-100

    D6-7-660-100是一种激光二极管，其波长为660nm，输出功率为0~0.1W，工作电压为2.5~3V，工作电流为155~180mA，阈值电流为55~70mA.有关D6-7-660-100的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-660-50-P 半导体激光器

    D6-7-660-50-P

    激光增益介质: AIGaInP

    D6-7-660-50-P（EGISMOS Technology Corporation出品）是一种激光二极管，其波长为650至670 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为2.5至3 V，工作电流为0.095至0.12 A，阈值电流为55至70 mA.有关D6-7-660-50-P的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-660-50 半导体激光器

    D6-7-660-50

    D6-7-660-50是一种激光二极管，其波长为660nm，输出功率为0~0.05W，工作电压为2.6~3V，工作电流为90~120mA，阈值电流为45~60mA.有关D6-7-660-50的更多详细信息，请联系我们。

  • D6-7-670-5 半导体激光器

    D6-7-670-5

    D6-7-670-5是EGISMOS技术公司的激光二极管，其波长为670nm，输出功率为0~0.005W，工作电压为2.2~2.7V，工作电流为30~45mA，阈值电流为20~30mA.有关D6-7-670-5的更多详细信息，请联系我们。