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半导体激光器

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  • 850纳米VCSEL芯片-GS0801 半导体激光器

    850纳米VCSEL芯片-GS0801

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 激光增益介质: GaAs 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的850nm VCSEL芯片-GS0801是波长为840至860nm的激光二极管，输出功率为3.5至5.5mW，工作电压为2.1至2.4V，阈值电流为1至2mA.850nm VCSEL芯片-GS0801的更多细节可以在下面看到。

  • H00095R012-V01 半导体激光器

    H00095R012-V01

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    HLJ Technologies的H00095R012-V01是一款激光二极管，波长为930至950 nm，输出功率为600 MW，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为600 mA.有关H00095R012-V01的更多详细信息，请联系我们。

  • 850 nm 13 mil VCSEL芯片-GS1301 半导体激光器

    850 nm 13 mil VCSEL芯片-GS1301

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 激光增益介质: GaAs 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的850 nm 13 mil VCSEL芯片-GS1301是波长为840至860 nm、输出功率为120至130 MW、工作电压为2.4至2.6 V、工作电流为200 mA的激光二极管。850 nm 13 mil VCSEL芯片-GS1301的更多详情请见下文。

  • 940纳米13mil VCSEL芯片-GS1301 半导体激光器

    940纳米13mil VCSEL芯片-GS1301

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 激光增益介质: GaAs 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的940nm 13mil VCSEL芯片-GS1301是波长为930至950 nm的激光二极管，输出功率为120至145 MW，工作电压为2.1至2.6 V，工作电流为200 mA.下面可以看到940nm 13mil VCSEL芯片-GS1301的更多详细信息。

  • 940纳米8mil VCSEL芯片-GS0801 半导体激光器

    940纳米8mil VCSEL芯片-GS0801

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 激光增益介质: GaAs 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的940nm 8mil VCSEL芯片-GS0801是波长为930至950 nm的激光二极管，输出功率为3至5 MW，工作电压为2.1至2.5 V，阈值电流为0.8至1.5 mA.940nm 8mil VCSEL芯片-GS0801的更多详情请见下文。

  • 9999-H00001S017-V03 半导体激光器

    9999-H00001S017-V03

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 激光增益介质: GaAs 堆栈/阵列: Array/Stack

    HLJ Technologies的9999-H00001S017-V03是一款激光二极管，波长为930至950 nm，输出功率为4至5.4 MW，工作电压为1.7至2.1 V，工作电流为9 mA.有关9999-H00001S017-V03的更多详细信息，请联系我们。

  • CH 810nm 23 CHIP 9999-H00082A014-V03 半导体激光器

    CH 810nm 23 CHIP 9999-H00082A014-V03

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 激光增益介质: GaAs 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的CH 810nm 23芯片9999-H00082A014-V03是波长为810至820 nm的激光二极管，输出功率为130至275 MW，工作电压为1.6至2.4 V，工作电流为300 mA.有关CH 810nm 23芯片9999-H00082A014-V03的更多详细信息，请联系我们。

  • CH 810nm 40 CHIP 9999-H00127A014-V03 半导体激光器

    CH 810nm 40 CHIP 9999-H00127A014-V03

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 激光增益介质: GaAs 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的CH 810nm 40芯片9999-H00127A014-V03是波长为800至820 nm的激光二极管，输出功率为300至350 MW，工作电压为1.8至2.4 V，工作电流为600 mA.CH 810nm 40芯片9999-H00127A014-V03的更多详情见下文。

  • H00095R023-V03 半导体激光器

    H00095R023-V03

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    HLJ Technologies的H00095R023-V03是一款激光二极管，波长为840至860 nm，输出功率为500 MW，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为550 mA.有关H00095R023-V03的更多详细信息，请联系我们。

  • H00202R010-V03 半导体激光器

    H00202R010-V03

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的H00202R010-V03是一款激光二极管，波长为840至860 nm，输出功率为1000 MW，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为1.2 A.H00202R010-V03的更多详情见下文。

  • H00202R012-V01 半导体激光器

    H00202R012-V01

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的H00202R012-V01是一款激光二极管，波长为930至950 nm，输出功率为1000 MW，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为1.2 A.H00202R012-V01的更多详情见下文。

  • H00621R010-V03 半导体激光器

    H00621R010-V03

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自HLJ Technologies的H00621R010-V03是一款激光二极管，波长为840至860 nm，输出功率为2000 MW，工作电压为1.7至2.2 V，工作电流为2.5 A.H00621R010-V03的更多详情见下文。

  • H00621R012-V01 半导体激光器

    H00621R012-V01

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    HLJ Technologies的H00621R012-V01是一款激光二极管，波长为930至950 nm，输出功率为2000 MW，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为2.5 A.有关H00621R012-V01的更多详细信息，请联系我们。

  • H00977R010-V03 半导体激光器

    H00977R010-V03

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    HLJ Technologies的H00977R010-V03是一款激光二极管，波长为840至860 nm，输出功率为4000 MW，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为4.5 A.有关H00977R010-V03的更多详细信息，请联系我们。

  • H00977R012-V01 半导体激光器

    H00977R012-V01

    中国大陆
    厂家：HLJ Technologies
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 堆栈/阵列: Array/Stack

    HLJ Technologies的H00977R012-V01是一款激光二极管，波长为930至950 nm，输出功率为4000 MW，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为4.7 A.有关H00977R012-V01的更多详细信息，请联系我们。