光电查为您提供84个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  单模二极管激光器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  高功率激光二极管包含优化的GaAs衬底。它们可用于各种单模尾纤-PM光纤是一种选择。根据产品和波长，较大CW功率为500 MW。所有这些光纤尾纤激光二极管都安装在冷却的14引脚封装中。作为附加选项，由于光纤布拉格光栅（FBG）技术，它们具有稳定的波长。FBG基于菲涅耳反射。它的工作原理类似于在线光学滤波器，可以阻挡某些波长。

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  155G1S14X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs 堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  来自Laser Components的155G1S14X是一款激光二极管，波长为1520至1580 nm，输出功率为12 W，工作电流为1.9至40 A，输出功率（连续波）为12 W，工作温度为-45至85摄氏度。有关155G1S14X的更多详细信息，请联系我们。

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  155G2S06X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs 堆栈/阵列: Double Stack, Stack

  来自Laser Components的155G2S06X是一款激光二极管，波长为1520至1580 nm，输出功率为10 W，工作电流为0.8至20 A，输出功率（连续波）为10 W，工作温度为-45至85摄氏度。有关155G2S06X的更多详细信息，请联系我们。

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  850D1S09X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  芯片技术: AlGaAs 堆栈/阵列: Single Stack

  Laser Components的850D1S09X是一款AlGaAs脉冲激光二极管，工作波长为850 nm.它的输出功率为13W，效率为0.9W/A.该激光二极管的光谱带宽为5.5nm，光束扩展为10.5度（平行）和20度（垂直）。它的发射面积为225 X 1μm，脉冲宽度为150 ns.这款激光二极管的正向电压为3 V，最大正向电流为18 A.它采用密封和定制设计封装，非常适合测距、测量设备、武器模拟、激光雷达、安全屏障和光学触发应用。

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  905D1S06X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  来自Laser Components的905D1S06x是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为13 W，工作电流为15 A，阈值电流为400 mA，输出功率（连续波）为13 W.有关905D1S06x的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S09X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  Laser Components的905D1S09x是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为19 W，工作电流为22 A，阈值电流为600 mA，输出功率（连续波）为19 W.有关905D1S09x的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S1.5X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  Laser Components的905D1S1.5x是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为3 W，工作电流为3.5 A，阈值电流为100 mA，输出功率（CW）为3 W.有关905D1S1.5x的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S12X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  Laser Components的905D1S12X是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为26 W，工作电流为30 A，阈值电流为800 mA，输出功率（连续波）为26 W.有关905D1S12X的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S16X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  Laser Components的905D1S16X是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为34 W，工作电流为40 A，阈值电流为1200 mA，输出功率（连续波）为34 W.有关905D1S16X的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S3J03FP-10/22-F-0-01

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  堆栈/阵列: Stack, Array

  来自Laser Components的905D1S3J03FP-10/22-F-0-01是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为12 W，工作电流为11 A，阈值电流为300 mA，输出功率（连续波）为12 W.有关905D1S3J03FP-10/22-F-0-01的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S3J03UA

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs

  来自Laser Components的905D1S3J03UA是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为25 W，工作电流为11 A，阈值电流为500 mA，输出功率（连续波）为25 W.有关905D1S3J03UA的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S3J03X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs

  Laser Components的905D1S3J03X是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为25 W，工作电流为11 A，输出功率（连续波）为25 W，工作温度为-45至85摄氏度。有关905D1S3J03X的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S3J06-SQF-14-15

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  Laser Components的905D1S3J06-SQF-14-15是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为25 W，工作电流为22 A，阈值电流为500 mA，输出功率（连续波）为25 W.有关905D1S3J06-SQF-14-15的更多详细信息，请联系我们。

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  905D1S3J09X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Single Stack, Stack

  Laser Components的905D1S3J09X是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为75 W，工作电流为35 A，输出功率（CW）为75 W，工作温度为-45至85摄氏度。有关905D1S3J09X的更多详细信息，请联系我们。

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  905D2S06X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Double Stack, Stack

  Laser Components的905D2S06x是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为25 W，工作电流为15 A，阈值电流为400 mA，输出功率（CW）为25 W.有关905D2S06x的更多详细信息，请联系我们。

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  905D2S3J09FP-40/22-F-0-01

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  堆栈/阵列: Stack, Array

  Laser Components的905D2S3J09FP-40/22-F-0-01是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为65 W，工作电流为35 A，阈值电流为800 mA，输出功率（连续波）为65 W.有关905D2S3J09FP-40/22-F-0-01的更多详细信息，请联系我们。

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  905D3S3J09X

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  激光增益介质: InGaAs/GaAs 堆栈/阵列: Triple Stack, Stack

  Laser Components的905D3S3J09X是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为200 W，工作电流为35 A，输出功率（连续波）为200 W，工作温度为-45至85摄氏度。有关905D3S3J09X的更多详细信息，请联系我们。

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  ADL-63054TA4

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  芯片技术: AIGaInP

  来自Laser Components的ADL-63054TA4是波长为630至640 nm、输出功率为7 MW、工作电压为2.5至6 V、工作电流为32至45 mA的激光二极管。有关ADL-63054TA4的更多详细信息，请联系我们。

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  ADL-63072GB4

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  芯片技术: AIGaInP

  来自Laser Components的ADL-63072GB4是波长为630至642 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.5至6 V、工作电流为37至45 mA的激光二极管。有关ADL-63072GB4的更多详细信息，请联系我们。

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  ADL-63072TB4

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：Laser Components

  芯片技术: AIGaInP

  来自Laser Components的ADL-63072TB4是波长为630至642 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.5至6 V、工作电流为37至45 mA的激光二极管。有关ADL-63072TB4的更多详细信息，请联系我们。