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  L68J6S-A/B/C

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

  LECC Technology的L68J6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为670至700 nm，输出功率为50 MW，工作电压为2至3 V，工作电流为100至140 mA.有关L68J6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

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  L78C6S-A/B/C

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L78C6S-A/B/C是波长为770至795 nm、输出功率为3 MW、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为45至65 mA的激光二极管。有关L78C6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

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  L78D6S-A/B/C

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L78D6S-A/B/C是波长为770至800 nm、输出功率为5 MW、工作电压为1.9至2.3 V、工作电流为30至40 mA的激光二极管。有关L78D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

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  L78E6HG-Q

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L78E6HG-Q是一款激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为6 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为27至38 mA.有关L78E6HG-Q的更多详细信息，请联系我们。

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  L78F6DF-1

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L78F6DF-1是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为25至40 mA.有关L78F6DF-1的更多详细信息，请联系我们。

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  L78F6DF-2

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L78F6DF-2是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为30至45 mA.有关L78F6DF-2的更多详细信息，请联系我们。

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  L78F6S-A/B/C

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L78F6S-A/B/C是波长为775至800 nm、输出功率为10 MW、工作电压为1.5至2.4 V、工作电流为22至40 mA的激光二极管。有关L78F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

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  L78G6SF-1

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L78G6SF-1是一款激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为15 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为35至50 mA.有关L78G6SF-1的更多详细信息，请联系我们。

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  L78J6S-A/B/C

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  来自LECC Technology的L78J6S-A/B/C是波长为775至795nm、输出功率为50mW、工作电压为2至2.8V、工作电流为75至100mA的激光二极管。有关L78J6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

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  L80R4H-A/B/C/D/E-Y

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well

  来自LECC Technology的L80R4H-A/B/C/D/E-Y是波长为803至813 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.9至3 V、工作电流为260至280 mA的激光二极管。有关L80R4H-A/B/C/D/E-Y的更多详细信息，请联系我们。

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  L80R4S-A/B/C/D/E-Z4

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well

  来自LECC Technology的L80R4S-A/B/C/D/E-Z4是波长为803至813 nm的激光二极管，输出功率为200 MW，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为250至280 mA.有关L80R4S-A/B/C/D/E-Z4的更多详细信息，请联系我们。

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  L80S4H-A/B/C/D/E-Y

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well

  来自LECC Technology的L80S4H-A/B/C/D/E-Y是波长为803至813 nm、输出功率为500 MW、工作电压为2.2至2.3 V、工作电流为550至700 mA的激光二极管。有关L80S4H-A/B/C/D/E-Y的更多详细信息，请联系我们。

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  L83H6S-A/B/C

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAs Laser

  来自LECC Technology的L83H6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为20 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为45至70 mA的激光二极管。有关L83H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

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  L85I6S-A/B/C

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  LECC Technology的L85I6S-A/B/C是波长为845至865 nm、输出功率为30 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为40至80 mA的激光二极管。有关L85I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

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  L85J6S-A/B/C-L

  中国大陆

  分类：半导体激光器

  厂家：LECC Technology

  技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

  来自LECC Technology的L85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关L85J6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。