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半导体激光器

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光电查为您提供21个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • SLD177H5 半导体激光器

    SLD177H5

    技术: Multi-Quantum Well (MQW), Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAs 堆栈/阵列: Bar

    索尼的SLD177H5是一款用于25 Gbps光通信的4通道垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片。该激光器的工作波长为850 nm，光输出功率高达4 MW.它采用2.4 V电源供电，功耗高达1.6 mA.该器件的光束发散度为33度，光束间距为250μm.它基于具有高温稳定性和可靠性的MQW VCSEL热电路模型，并且具有高达25Gbps的数据速率。该激光器以芯片形式提供，是高速数据通信应用的理想选择。

  • SLD332F 半导体激光器

    SLD332F

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD332F是一种激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为1 W，工作电压为1.8至3.0 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为400至500 mA.有关SLD332F的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD336VF 半导体激光器

    SLD336VF

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为0.75 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为0.8至1 A，阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD326YT 半导体激光器

    SLD326YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaInP

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD326YT是一款激光二极管，波长为790~840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2.4~2.8 V，工作电流为4~8 A，阈值电流为1000~2000 mA.有关SLD326YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD301V 半导体激光器

    SLD301V

    激光增益介质: GaAIAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation的SLD301V是波长为770至840 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为1.9至3 V、工作电流为0.25至0.4 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关SLD301V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD302V 半导体激光器

    SLD302V

    技术: Double-Hetro Type 激光增益介质: GaAIAs

    SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为770至840 nm，输出功率为0.2 W，工作电压为1.9至3 V，工作电流为0.35至0.5 A，阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD334YT 半导体激光器

    SLD334YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管，波长为795至840 nm，输出功率为2 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为2.2至3.6 A，阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD335YT 半导体激光器

    SLD335YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为4.3至5.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD431S 半导体激光器

    SLD431S

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAIAs 堆栈/阵列: Array

    SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为20 W，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为25至30 A，阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD266ZS 半导体激光器

    SLD266ZS

    激光增益介质: AlGaAs 堆栈/阵列: Array

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管，工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作，发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率，同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装，是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

  • SLD432S 半导体激光器

    SLD432S

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAIAs 堆栈/阵列: Array

    SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为40 W，工作电压为1.9至2.8 V，工作电流为50至55 A，阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD333V 半导体激光器

    SLD333V

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至3 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD335F 半导体激光器

    SLD335F

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为5 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为5.2至6.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD343YT 半导体激光器

    SLD343YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为4.6至6.5 A，阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD433S4 半导体激光器

    SLD433S4

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs 堆栈/阵列: Array

    SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为60 W，工作电压为2.5 V，工作电流为75至85 A，阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD1254JFR-V 半导体激光器

    SLD1254JFR-V

    激光增益介质: AlGaInP

    索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的SLD1254JFR-V是一款激光二极管，波长为635至645 nm，输出功率为90 MW，工作电压为2.5至2.9 V，工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD259VS 半导体激光器

    SLD259VS

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管，工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW，工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装，非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • SLD344YT 半导体激光器

    SLD344YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为6 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为7至9 A，阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD323V 半导体激光器

    SLD323V

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAIAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD323V是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为1 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为1.4至2 A，阈值电流为300至500 mA.有关SLD323V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD322V 半导体激光器

    SLD322V

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAIAs

    SLD322V是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为0.5 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为0.75至1.2 A，阈值电流为180至300 mA.有关SLD322V的更多详细信息，请联系我们。