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CM97A1064NFBG
厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH
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CM96Z600-74 半导体激光器
厂家：Coherent Inc.
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CM96Z580-74 半导体激光器
厂家：Coherent Inc.
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DFB-1310C-PM 激光器
厂家：Optilab
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DFB-1290C-PM 激光器
厂家：Optilab
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1310nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)
厂家：Optilab
光电查为您提供1091个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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Seminex高功率红外多模式激光芯片1310nm 0.59W
激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-ModeSeminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的Inplaser芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、棒材和封装经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
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FDL-800-0.5W-TA 用于MOPA的锥形放大器
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近500mW的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
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激光二极管FVLD-488-200S
FVLD-488-200S是一款单模激光二极管，功率为200mW488nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。
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激光二极管 faxd-808-10w-fc400
FAXD-808-10W-FC400是一种光纤耦合多模半导体激光器，在808nm波长下连续输出功率为10W。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。
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激光二极管FVLD-375-70S
FVLD-375-70S是一款连续输出功率为70mW的单模激光二极管输出功率为375nm。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。
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激光二极管 faxd-1064-200s-xx
FAXD-1064-200S-XX是在1064nm处具有200mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。
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Seminex多模式激光芯片1532nm 4.2W
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
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激光二极管FLX-980-1500M-50
FLX-980-1500M-500是一款多模半导体激光器。980nm连续输出功率为1500mW的二极管?？捎玫姆庾拔狟-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
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ml570g23 三菱激光二极管
三菱ML501P73是一款大功率、高高效半导体激光二极管，其提供发射波长638nm和标准光出力500MW。该LD具有宽条结构，其能够高输出功率。
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FDL-765-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以?；ば酒皇鼙诚蚍瓷涞挠跋?。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
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Seminex光纤耦合高功率红外多模激光器1315nm 24W
激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Multi-ModeSeminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
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激光二极管FVLD-420-120S
FVLD-420-120S是单模激光二极管，功率为120mW420nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装，配有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管是适用于各种光电应用。
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激光二极管FIDL-5S-760X
FIDL-5S-760X是760nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-760X是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-242 5.6mm封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。激光二极管适用于氧气检测以及其他各种光电系统。
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FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39
技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAsP/AlGaAsFrankfurt Laser Company的FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39是GaAsP/AlGaAs二极管VCSEL（垂直腔面发射激光器），工作波长为760nm.最小输出功率0.25mW，壁插效率12%，斜率效率0.3W/A，谱宽100MHz，发散角10°~25°。它的正向电压为1.8 V，阈值电流为0.5 mA.该激光器具有ESD?；?，并具有内部TEC、热敏电阻和PD.该器件采用TO-39封装，尺寸为?9.14 mm，非常适合TDLAS应用。
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激光二极管折叠-689-45s-vbg
FOLD-689-45S-VBG是一种单模半导体激光器在689nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。
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激光二极管FIDL-1000M-1020X
FIDL-1000M-1020X是用MOCVD半导体激光器制作的1020nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1020X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。
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FBLD-808-4W-FC200-DF-11Pin光纤耦合高功率激光二极管
FBLD-808-4W-FC200-DF-11PIN光纤耦合高功率激光二极管。