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  VM100-850-SG-qSM-Cxx VCSEL芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 840-860nm 峰值输出功率: 3-5mW 光学带宽: 25-33GHz 斜率效率: 0.3-0.5W/A 差分电阻: 80-100?

  VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。

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  V25-940-SG-MA-HP-C1 多孔垂直腔面发射激光器（VCSEL）

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 930-950nm 光学带宽: 18GHz 差分电阻: 30? 峰值输出功率: 10mW 光谱带宽（RMS）: 0.1-0.3nm

  V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

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  VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx VCSEL芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 930-950nm 光学带宽: 22-23GHz 差分电阻: 60? 峰值输出功率: 4mW 光谱带宽（RMS）: 0.1-0.2nm

  VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

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  VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx VCSEL芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 900-920nm 光学带宽: 23-25GHz 差分电阻: 60? 峰值输出功率: 4mW 光谱带宽（RMS）: 0.1-0.2nm

  VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。

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  V25-850-HT 高温稳定VCSEL

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 835-865nm 峰值输出功率: 6mW 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4-0.7W/A 差分电阻: 100Ω

  V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。

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  VM50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器（VCSEL）

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 850 nm 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 发射波长范围: 840-860 nm 光学带宽: 18-20 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A

  VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

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  VM100-880-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 880 nm (范围 870 – 890 nm) 峰值输出功率: 4 mW 光学带宽: 25-30 GHz 斜率效率: 0.5-0.6 W/A 差分电阻: 50-60 ?

  VM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片作为工程样品，可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

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  VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx 单模顶发射VCSEL芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 870-890nm 光学带宽: 23-28GHz 差分电阻: 50? 峰值输出功率: 4mW 光谱带宽（RMS）: 0.1-0.2nm

  VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。

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  VM50-940-GSG-Cxx VCSEL芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 940 nm 光学带宽: 18-23 GHz 差分电阻: 30 ? 峰值输出功率: 3 mW 光谱带宽（RMS）: 0.6-1 nm

  这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

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  VM100-910-SG-qSM-Cxx 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 910 nm 峰值输出功率: ~3 mW @85°C 光学带宽: 25-33 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 差分电阻: 80-100 ?

  VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

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  VM100-850-GSG-MA-SM 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 840-860nm 光学带宽: 24-28GHz 差分电阻: 70? 峰值输出功率: 4mW 光谱带宽（RMS）: 0.1-0.2nm

  VM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导，以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触，使用地-源-地（GSG）微探针或金属线键合。

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  VM100-940-GSG-Cxx 基垂直腔面发射激光器（VCSEL）

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 930-950nm 光学带宽: 23-28GHz 差分电阻: 60? 峰值输出功率: 3mW 光谱带宽（RMS）: 0.5-0.65nm

  VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。

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  VM100-910-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 900-920nm 光学带宽: 24-28GHz 差分电阻: 50? 峰值输出功率: 3mW 光谱带宽（RMS）: 0.5-0.65nm

  VM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。

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  V50-850-Cxx 垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 840-860 nm 光学带宽: 16-18 GHz 斜率效率: 0.3-0.5 W/A 差分电阻: 80-100 ? 峰值输出功率: 3-5 mW

  V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

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  VM100-850-GSG-Cxx 垂直腔面发射激光器(VCSEL)

  德国

  分类：半导体激光器

  厂家：VI Systems GmbH

  发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHz 斜率效率: 0.4-0.5W/A 差分电阻: 50-70?

  VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。