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半导体激光器

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光电查为您提供273个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • KDL-55-A 直接二极管激光器 半导体激光器

    KDL-55-A 直接二极管激光器

    日本

    Kimmon Koha蓝/紫激光系统提供375nm、405nm、445nm或448nm的工作波长。每个波长可用于圆形或椭圆形光束形状。蓝色/紫色激光系统在紧凑的设计中提供卓越的功率和波长稳定性。每个系统都包括用于自动功率控制（APC）和自动电流控制（ACC）的激光软件。所有激光器型号均提供出色的光束质量，可用于各种应用，M2系数小于1.2。

  • QLD1261-4005 半导体激光器

    QLD1261-4005

    日本
    厂家：QD Laser
    技术: Distributed Feedback Laser (DFB)

    QD Laser的QLD1261-4005是一款分布反?。―FB）激光二极管，工作峰值波长为1240 nm.它的光输出功率为10 MW，偏振消光比为20 dB.该激光二极管具有集成的光隔离器、监视器PD和热电冷却器。它需要7 mA的阈值电流，并且具有高达2 V的反向电压。该激光二极管消耗50 mA的电流。该器件采用14引脚蝶形封装，带尾纤和TEC，是传感、测试和测量应用的理想选择。

  • QLF083A 半导体激光器

    QLF083A

    日本
    厂家：QD Laser
    技术: Quantum Well 标签: TO56 Mini

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗（Fabry-Perot）量子阱激光二极管，工作波长为830 nm，斜率效率为1.1 W/A，峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°，垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压，并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中，并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

  • QLF133B-P10 半导体激光器

    QLF133B-P10

    日本
    厂家：QD Laser
    技术: Fabry-Perot Laser (FP), Quantum Dot Technology

    QD Laser的QLF133B-P10是一款激光二极管，波长为1300 nm，输出功率为0.01 W，输出功率（CW）为0.01 W，工作温度为110摄氏度。有关QLF133B-P10的更多详细信息，请联系我们。

  • RLD2BPND1 半导体激光器

    RLD2BPND1

    日本

    Rohm Semiconductor公司的RLD2BPND1是波长为660nm，输出功率为0.02W，工作电压为2.2V，工作电流为0.023A，阈值电流为13mA的激光二极管。有关RLD2BPND1的更多详细信息，请联系我们。

  • NLK1U5FAAA 半导体激光器

    NLK1U5FAAA

    技术: Distributed Feedback (DFB)

    NTT Electronics Corporation生产的NLK1U5FAAA是一款激光二极管，波长为1625至1670 nm，输出功率为15 MW，输出功率为0.015 W，阈值电流为15至20 mA，输出功率（CW）为0.015 W.NLK1U5FAAA的更多详情见下文。

  • KBL-90C-A直接二极管激光器 半导体激光器

    KBL-90C-A直接二极管激光器

    日本

    Kimmon Koha蓝/紫激光系统提供375nm、405nm、445nm或448nm的工作波长。每个波长可用于圆形或椭圆形光束形状。蓝色/紫色激光系统在紧凑的设计中提供卓越的功率和波长稳定性。每个系统都包括用于自动功率控制（APC）和自动电流控制（ACC）的激光软件。所有激光器型号均提供出色的光束质量，可用于各种应用，M2系数小于1.2。

  • HL63133DG 半导体激光器

    HL63133DG

    日本
    厂家：牛尾
    激光增益介质: AlGaInP 横模: TE Mode

    Ushio公司的HL63133DG是波长为632至643nm的激光二极管，输出功率为0.17W，工作电压为2.8至3.2V，工作电流为0.32至0.32A，阈值电流为60至90mA.有关HL63133DG的更多详细信息，请联系我们。

  • HL7001MG-02MG 激光二极管 半导体激光器

    HL7001MG-02MG 激光二极管

    日本
    厂家：牛尾

    HL7001MG/02MG InGaAsP半导体激光器

  • NECSEL BLUE 蓝色 445 4W 半导体激光器

    NECSEL BLUE 蓝色 445 4W

    日本
    厂家：牛尾
    激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode 纤维芯直径: 400um

    NECSEL蓝色激光器包含直接发射二极管，可产生4W的功率。该激光器具有出色的功率转换效率，并采用标准光纤耦合封装。对于想要立即开始使用的用户，请将此激光与Necsel Blue开发套件相结合。

  • 深紫外连续激光器ALTAIR 半导体激光器

    深紫外连续激光器ALTAIR

    日本
    厂家：Cyber Laser Inc

    一种全新的光源“牵牛星”可以成功地产生紫外到深紫外波段的连续波激光。一种新颖的赛博激光波长转换技术现在开始为高科技客户提供有价值的激光光源。牵牛星将给半导体工业和生物工业带来创新，因为它使微结构材料的检测和加工成为可能。

  • HL6320G 半导体激光器

    HL6320G

    日本
    厂家：牛尾
    激光增益介质: AlGaInP 横模: TM Mode

    Ushio公司的HL6320G是波长为625至640nm的激光二极管，输出功率为0.01W，工作电压为2.7V，工作电流为0.07至0.095A，阈值电流为20至75mA.有关HL6320G的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD336VF 半导体激光器

    SLD336VF

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD336VF是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为0.75 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为0.8至1 A，阈值电流为200至300 mA.有关SLD336VF的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD326YT 半导体激光器

    SLD326YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaInP

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD326YT是一款激光二极管，波长为790~840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2.4~2.8 V，工作电流为4~8 A，阈值电流为1000~2000 mA.有关SLD326YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD301V 半导体激光器

    SLD301V

    激光增益介质: GaAIAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation的SLD301V是波长为770至840 nm、输出功率为0.1 W、工作电压为1.9至3 V、工作电流为0.25至0.4 A、阈值电流为150至200 mA的激光二极管。有关SLD301V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD302V 半导体激光器

    SLD302V

    技术: Double-Hetro Type 激光增益介质: GaAIAs

    SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为770至840 nm，输出功率为0.2 W，工作电压为1.9至3 V，工作电流为0.35至0.5 A，阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD334YT 半导体激光器

    SLD334YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD334YT是一款激光二极管，波长为795至840 nm，输出功率为2 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为2.2至3.6 A，阈值电流为600至1000 mA.有关SLD334YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD335YT 半导体激光器

    SLD335YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    SLD335YT是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2.1至3 V，工作电流为4.3至5.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD431S 半导体激光器

    SLD431S

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAIAs 堆栈/阵列: Array

    SLD431S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为20 W，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为25至30 A，阈值电流为6000至15000 mA.有关SLD431S的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD266ZS 半导体激光器

    SLD266ZS

    激光增益介质: AlGaAs 堆栈/阵列: Array

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管，工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作，发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率，同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装，是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。