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半导体激光器

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光电查为您提供273个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • SLD432S 半导体激光器

    SLD432S

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAIAs 堆栈/阵列: Array

    SLD432S是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为40 W，工作电压为1.9至2.8 V，工作电流为50至55 A，阈值电流为14000至18000 mA.有关SLD432S的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD333V 半导体激光器

    SLD333V

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD333V是一种激光二极管，波长为790至840 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至3 V，工作电流为1.2至1.5 A，阈值电流为200至500 mA.有关SLD333V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD335F 半导体激光器

    SLD335F

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    SLD335F是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为805至811 nm，输出功率为5 W，工作电压为2.2至3 V，工作电流为5.2至6.5 A，阈值电流为800至1500 mA.有关SLD335F的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD343YT 半导体激光器

    SLD343YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的SLD343YT是一种激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为4 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为4.6至6.5 A，阈值电流为1000至2000 mA.有关SLD343YT的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD433S4 半导体激光器

    SLD433S4

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs 堆栈/阵列: Array

    SLD433S4是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为805至811 nm，输出功率为60 W，工作电压为2.5 V，工作电流为75至85 A，阈值电流为17000至22000 mA.有关SLD433S4的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD1254JFR-V 半导体激光器

    SLD1254JFR-V

    激光增益介质: AlGaInP

    索尼半导体解决方案公司（Sony Semiconductor Solutions Corporation）的SLD1254JFR-V是一款激光二极管，波长为635至645 nm，输出功率为90 MW，工作电压为2.5至2.9 V，工作电流为150至185 mA.有关SLD1254JFR-V的更多详细信息，请联系我们。

  • SLD259VS 半导体激光器

    SLD259VS

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管，工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW，工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装，非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • SLD344YT 半导体激光器

    SLD344YT

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs

    SLD344YT是由Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，其波长为790至840 nm，输出功率为6 W，工作电压为2至2.3 V，工作电流为7至9 A，阈值电流为1400至3000 mA.有关SLD344YT的更多详细信息，请联系我们。

  • HL67203HD 半导体激光器

    HL67203HD

    日本
    厂家：牛尾

    来自Ushio Inc.的HL67203HD是在675nm的波长下工作的AlGaInP多模激光二极管。它提供1.3 W的光输出功率。该激光二极管具有12°的平行光束发散角和32°的垂直光束发散角。它的工作电压约为2.2 V，工作电流约为1.38 A.它采用紧凑型高散热?9 mm CAN封装，非常适合光动力疗法、光免疫疗法、生命科学、激光?？椤⒁搅坪捅＝∮τ谩?/p>

  • 窄线宽激光器 半导体激光器

    窄线宽激光器

    技术: Distributed Feedback (DFB)

    来自NTT Electronics Corporation的窄线宽激光器是波长为1540至1560nm、输出功率为8至12mW、输出功率为0.008至0.012W、阈值电流为25至40mA、输出功率（CW）为0.008至0.012W的激光二极管。

  • CW近红外激光器 RIIX RIIY 半导体激光器

    CW近红外激光器 RIIX RIIY

    日本
    厂家：Cyber Laser Inc

    光纤输出型，可轻松安装在检测设备中。安装时间减少到30分钟或更少。安装了一个小而高效的隔离器。检查系统可以通过遮挡来自目标样本的反射光来获取高精度的图像。

  • HL65241DG 半导体激光器

    HL65241DG

    日本
    厂家：牛尾

    Ushio Opto Semiconductors的HL65241DG是一款工作波长为652至665 nm的AlGaInP红色激光二极管。它提供110mW的连续光功率和220mW的脉冲光功率。该单横模激光二极管具有30V的反向电压和60mA的阈值电流。该器件采用5.6 mm的DG封装，非常适合光学设备光源和传感器应用。

  • HL6750MG 半导体激光器

    HL6750MG

    日本
    厂家：牛尾
    激光增益介质: AlGaInP 横模: TE Mode

    Ushio Inc.生产的HL6750MG是一款激光二极管，波长为675至695 nm，输出功率为0.055 W，工作电压为2.3至3 V，阈值电流为30至60 mA，输出功率（CW）为0.055 W.HL6750MG的更多详细信息可参见下文。

  • NECSEL RED 红色 63x 6W 半导体激光器

    NECSEL RED 红色 63x 6W

    日本
    厂家：牛尾
    激光类型: Modulated 纤维类型: Single Mode

    NECSEL红色激光器可产生令人印象深刻的6W功率，标准寿命为20，000小时，封装不到几立方英寸。该行业标准封装具有高插拔效率，包括FAC和SAC透镜。对于想要立即开始使用的用户，请将此激光与Necsel Red开发套件相结合。

  • LNC728MS01WW 半导体激光器

    LNC728MS01WW

    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW)

    Panasonic Corporation的LNC728MS01WW是一款激光二极管，波长为777至791 nm，输出功率为200至380 MW，输出功率为0.2至0.38 W，工作电压为2至3 V，工作电流为0.18至0.265 A.有关LNC728MS01WW的更多详细信息，请联系我们。

  • TSL-550高性能可调谐激光器（A型）。 半导体激光器

    TSL-550高性能可调谐激光器（A型）。

    日本
    中心波脚: 1310nm 调谐范围: 1260 - 1360 nm 扫频速度: 100nm/sec

    TSL-550是一款高性能可调谐激光器，具有宽调谐范围和高功率、高信噪比的输出组合。Mod-Hop-Free Tuning TSL-550配备了微调和相干控制等功能，使其成为精密光学测试的必备工具。Santec采用创新的谐振腔设计来降低光ASE噪声，实现了超过90dB/0.1nm的超高信噪比，同时还保持了超过+10dBm的高输出功率。带有行业标准SCPI命令集的GPIB和USB接口提供了方便的自动化测量解决方案。TSL-550有两个独立的版本：A型包括波长精度为±20pm的波长计，C型是高精度版本，绝对波长精度为±5pm。在密集波分复用（DWDM）、无源和波长选择开关（WSS）的创新驱动下，TSL-550是下一代组件测试的理想之选，这些组件需要对多输入、高消光比器件进行表征。TSL-550旨在通过将传统激光器的扫描重复率提高一倍来提高生产检测吞吐量。此外，在我们的功率计、MPM-210和专用软件的支持下，TSL-550可用于WDL和PDL测量。

  • NLK1S5GAAA 半导体激光器

    NLK1S5GAAA

    技术: Distributed Feedback (DFB)

    来自NTT Electronics Corporation的NLK1S5GAAA是波长为1460至1530 nm、输出功率为20 MW、输出功率为0.02 W、阈值电流为10至20 mA、输出功率（CW）为0.02 W的激光二极管。

  • NLK1B5EAAA 半导体激光器

    NLK1B5EAAA

    技术: Distributed Feedback (DFB)

    来自NTT Electronics Corporation的NLK1B5EAAA是波长为1260至1360 nm、输出功率为10 MW、输出功率为0.01 W、阈值电流为10至20 mA、输出功率（CW）为0.01 W的激光二极管。NLK1B5EAAA的更多细节可参见下文。

  • HL63623HD 半导体激光器

    HL63623HD

    日本
    厂家：牛尾
    激光增益介质: AlGaInP 横模: Multi Transverse Mode

    Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管，输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率，墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度（平行）和33度（垂直）的光束发散度。它的反向电压为2 V，阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源，消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装，是激光投影仪、激光?？楹图す獾缡佑τ玫睦硐胙≡?。

  • KCL-75C-A直接二极管激光器 半导体激光器

    KCL-75C-A直接二极管激光器

    日本

    Kimmon Koha蓝/紫激光系统提供375nm、405nm、445nm或448nm的工作波长。每个波长可用于圆形或椭圆形光束形状。蓝色/紫色激光系统在紧凑的设计中提供卓越的功率和波长稳定性。每个系统都包括用于自动功率控制（APC）和自动电流控制（ACC）的激光软件。所有激光器型号均提供出色的光束质量，可用于各种应用，M2系数小于1.2。