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半导体激光器

已选
  • 韩国
  • QSI(Quantum Semiconductor International)
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光电查为您提供69个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • QL83O6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83O6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL80T4HD-Y 半导体激光器

    QL80T4HD-Y

    技术: Quantum Well

    Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管，波长为785至830 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至2.5 V，工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D7S-A/B/C 半导体激光器

    QL65D7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65D7S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为40至50 mA的激光二极管。有关QL65D7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL85R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers 斜率效率: 0.8-1.4mW/mA 平行光束发散角: 5-13deg 垂直光束发散角: 13-23deg

    来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL83R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63D5S-A/B/C 半导体激光器

    QL63D5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    QL63D5S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.2至2.7 V，工作电流为31至45 mA.有关QL63D5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78M8S-A/B/C 半导体激光器

    QL78M8S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78M8S-A/B/C是波长为770至790 nm、输出功率为90 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为120至160 mA的激光二极管。有关QL78M8S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL82R63A/B 半导体激光器

    QL82R63A/B

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL82R63A/B是波长为819至829nm的激光二极管，输出功率为200mW，工作电压为1.8至2.6V，工作电流为210至250mA.有关QL82R63A/B的更多详细信息，请联系我们。

  • QL83D6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83D6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为822至834 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.85至1.95 V，工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63F5S-A/B/C 半导体激光器

    QL63F5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为44至55 mA的激光二极管。有关QL63F5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85I6S-A/B/C 半导体激光器

    QL85I6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为845至860 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C-N 半导体激光器

    QL65D5S-A/B/C-N

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    QL65D5S-A/B/C-N（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为650至660 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为22至35 mA.有关QL65D5S-A/B/C-N的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D5S-A/B/C 半导体激光器

    QL65D5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL65D5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为24至25 mA的激光二极管。有关QL65D5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6S-A/B/C 半导体激光器

    QL78F6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F6S-A/B/C是波长为775至800 nm、输出功率为10 MW、工作电压为1.5至2.4 V、工作电流为22至40 mA的激光二极管。有关QL78F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65F73A/B 半导体激光器

    QL65F73A/B

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F73A/B是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为1.9至2.6 V、工作电流为27至38 mA的激光二极管。有关QL65F73A/B的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6HG-Q 半导体激光器

    QL78F6HG-Q

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F6HG-Q是一种激光二极管，波长为775至790 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为33至44 mA.有关QL78F6HG-Q的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63D4S-A/B/C-N 半导体激光器

    QL63D4S-A/B/C-N

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管反向电压: 30V 束发散角（平行）: 6-12deg

    QL63D4S-A/B/C-N（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.2至2.7 V，工作电流为32至45 mA.有关QL63D4S-A/B/C-N的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F8SA 半导体激光器

    QL78F8SA

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F8SA是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为25至50 mA.有关QL78F8SA的更多详细信息，请联系我们。

  • QL94R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL94R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85J6S-A/B/C-L 半导体激光器

    QL85J6S-A/B/C-L

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。