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半导体激光器

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光电查为您提供134个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • TAD5XXX 半导体激光器

    TAD5XXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TAD5xxx是波长为1530、1550、1570 nm、输出功率为2至3 MW、输出功率为2至3 MW、工作电流为40 mA的激光二极管。有关TAD5xxx的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65E53A/B 半导体激光器

    QL65E53A/B

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65E53A/B是波长为645至660 nm的激光二极管，输出功率为7 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为19至30 mA.有关QL65E53A/B的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6SG-Q 半导体激光器

    QL78F6SG-Q

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL78F6SG-Q是一种激光二极管，波长为775至790 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为33至44 mA.有关QL78F6SG-Q的更多详细信息，请联系我们。

  • TBD#204 半导体激光器

    TBD#204

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TBD#204是波长为1270至1610 nm的激光二极管，输出功率为2至4 MW，输出功率为2至4 MW，工作电流为40 mA.TBD#204的更多细节可以在下面看到。

  • QL65E5S-A/B/C 半导体激光器

    QL65E5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65E5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为29至37 mA的激光二极管。有关QL65E5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • TAD#20X 半导体激光器

    TAD#20X

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TAD#20X是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1 588、1 590、1 592nm、1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2mW，输出功率2mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.TAD#20X的更多细节可以在下面看到。

  • QL83F6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83F6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAs Lasers

    QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.7至2.4 V，工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85H6S-A/B/C 半导体激光器

    QL85H6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL85H6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至865 nm，输出功率为20 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL82R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL82R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为819至829 nm，输出功率为200 MW，工作电压为1.8至2.6 V，工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL83O6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83O6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL80T4HD-Y 半导体激光器

    QL80T4HD-Y

    技术: Quantum Well

    Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管，波长为785至830 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至2.5 V，工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息，请联系我们。

  • TADD20x 半导体激光器

    TADD20x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADD20X是具有波长1468、1470、1472nm，1488、1490、1492nm，1508、1510、1512nm，1528、1530、1532nm，1548、1550、1552nm，568、1570、1572nm，588、1590、1592nm，1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2至3mW，输出功率2至3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.有关TADD20x的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D7S-A/B/C 半导体激光器

    QL65D7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65D7S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为40至50 mA的激光二极管。有关QL65D7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL85R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers 斜率效率: 0.8-1.4mW/mA 平行光束发散角: 5-13deg 垂直光束发散角: 13-23deg

    来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL83R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63D5S-A/B/C 半导体激光器

    QL63D5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    QL63D5S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.2至2.7 V，工作电流为31至45 mA.有关QL63D5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78M8S-A/B/C 半导体激光器

    QL78M8S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78M8S-A/B/C是波长为770至790 nm、输出功率为90 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为120至160 mA的激光二极管。有关QL78M8S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL82R63A/B 半导体激光器

    QL82R63A/B

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL82R63A/B是波长为819至829nm的激光二极管，输出功率为200mW，工作电压为1.8至2.6V，工作电流为210至250mA.有关QL82R63A/B的更多详细信息，请联系我们。

  • QL83D6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83D6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为822至834 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.85至1.95 V，工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • TADxxxx系列 半导体激光器

    TADxxxx系列

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    Teradian的TADxxxx系列是一款激光二极管，波长为1290、1310、1330 nm、1530、1550、1570 nm，输出功率为2至3 MW，输出功率为2至3 MW，工作电流为40 mA.有关TADxxxx系列的更多详细信息，请联系我们。