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半导体激光器

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光电查为您提供134个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • QL65I7S-A/B/C 半导体激光器

    QL65I7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C是一种激光二极管，波长为658至665 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.7 V，工作电流为65至100 mA.有关QL65I7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65I7S-A/B/C-H 半导体激光器

    QL65I7S-A/B/C-H

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C-H是一种激光二极管，波长为645至665 nm，输出功率为35 MW，工作电压为1.8至2.6 V，工作电流为40至110 mA.有关QL65I7S-A/B/C-H的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65F7S-A/B/C 半导体激光器

    QL65F7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F7S-A/B/C是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为60至80 mA的激光二极管。有关QL65F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65F6S-A/B/C 半导体激光器

    QL65F6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F6S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为50至70 mA的激光二极管。有关QL65F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65F5S-A/B/C 半导体激光器

    QL65F5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F5S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为34至45 mA的激光二极管。有关QL65F5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D6S-A/B/C 半导体激光器

    QL65D6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65D6S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为40至55 mA的激光二极管。有关QL65D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D4PA 半导体激光器

    QL65D4PA

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL65D4PA是一种激光二极管，波长为648至660 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为23至25 mA.有关QL65D4PA的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63H5SA/B/C-R1 半导体激光器

    QL63H5SA/B/C-R1

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL63H5SA/B/C-R1是波长为634至644 nm、输出功率为20 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为75至85 mA的激光二极管。有关QL63H5SA/B/C-R1的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63G5SA/B/C-R1 半导体激光器

    QL63G5SA/B/C-R1

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL63G5SA/B/C-R1是波长为633至643 nm的激光二极管，输出功率为15 MW，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为60至70 mA.有关QL63G5SA/B/C-R1的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63G5S-A/B/C-L 半导体激光器

    QL63G5S-A/B/C-L

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL63G5S-A/B/C-L是波长为639至645 nm的激光二极管，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.6 V，工作电流为53至65 mA.有关QL63G5S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

  • AD#30X 半导体激光器

    AD#30X

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的AD#30X是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1 588、1 590、1 592nm、1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率3mW，输出功率3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.广告#30x的更多细节可以在下面看到。

  • TADA20x 半导体激光器

    TADA20x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADA20X是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1 588、1 590、1 592nm、1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2至3mW，输出功率2至3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.有关TADA20X的更多详细信息，请联系我们。

  • TADA30x 半导体激光器

    TADA30x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADA30X是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1 588、1 590、1 592nm、1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2至3mW，输出功率2至3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.有关TADA30X的更多详细信息，请联系我们。

  • TADAXXX 半导体激光器

    TADAXXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的Tadaxxx是波长为1468、1470、1472nm的激光二极管，输出功率为2至3mW，输出功率为2至3mW，工作电流为40mA.有关Tadaxxx的更多详细信息，请联系我们。

  • TADBXXX 半导体激光器

    TADBXXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADBxxx是波长为1488、1490、1492 nm的激光二极管，输出功率为2至3 MW，输出功率为2至3 MW，工作电流为40 mA.有关TADBXXX的更多详细信息，请联系我们。

  • TADC30x 半导体激光器

    TADC30x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADC30x是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2至3mW，输出功率2至3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.有关TADC30x的更多详细信息，请联系我们。

  • TADCXXX 半导体激光器

    TADCXXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADCxxx是波长为1508、1510、1512nm的激光二极管，输出功率为2至3mW，输出功率为2至3mW，工作电流为40mA，工作电流为40mA.有关TADCxxx的更多详细信息，请联系我们。

  • TADD30x 半导体激光器

    TADD30x

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADD30x是具有波长1468、1470、1472nm，1488、1490、1492nm，1508、1510、1512nm，1528、1530、1532nm，1548、1550、1552nm，568、1570、1572nm，588、1590、1592nm，1608、1610、1612nm的激光二极管，输出功率2至3mW，输出功率2至3mW，工作电流40mA，工作电流40 mA.有关TADD30x的更多详细信息，请联系我们。

  • TADDXXX 半导体激光器

    TADDXXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADDxxx是具有波长1528、1530、1532nm、输出功率2至3mW、输出功率2至3mW、工作电流40mA、工作电流40mA的激光二极管。有关TADDxxx的更多详细信息，请联系我们。

  • TADFXXX 半导体激光器

    TADFXXX

    韩国
    厂家：Teradian
    技术: Distributed Feedback (DFB) 激光增益介质: InGaAsP

    来自Teradian的TADFxxx是波长为1568、1570、1572 nm的激光二极管，输出功率为2至3 MW，输出功率为2至3 MW，工作电流为40 mA.有关TADFxxx的更多详细信息，请联系我们。