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半导体激光器

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  • 美国
  • Leonardo Electronics US
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光电查为您提供55个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • S4 - QCW 半导体激光器

    S4 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的S4-QCW是一种激光二极管，波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S4-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • R1 半导体激光器

    R1

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的R1是激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.9至2.1 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.有关R1的更多详细信息，请联系我们。

  • S6 - QCW 半导体激光器

    S6 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S6-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为2 V，工作电流为85至120 A，阈值电流为7000至10000 mA.S6-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • F8光纤耦合激光二极管 半导体激光器

    F8光纤耦合激光二极管

    美国
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode 纤维芯直径: 225um

    新型F8光纤耦合激光二极管。

  • LT1040 760 - 830 纳米 半导体激光器

    LT1040 760 - 830 纳米

    美国

    美国莱昂纳多电子公司（Leonardo Electronics US）的LT1040 760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为0.5至8 W，工作电压为1.8至2 V，工作电流为0.5至8.5 A，阈值电流为100至700 mA.下面可以看到LT1040 760-830 nm的更多详细信息。

  • 未装配的芯片 830 - 1100 纳米 半导体激光器

    未装配的芯片 830 - 1100 纳米

    美国
    激光增益介质: GaAs

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片830-1100nm是波长为760至830nm的激光二极管，输出功率为0.5至8W，工作电压为1.8至2V，工作电流为0.5至8.5A，阈值电流为100至700mA.未安装芯片830-1100纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 水冷激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器

    水冷激光二极管 830 - 1100 纳米

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的水冷激光二极管830-1100nm是波长为830-1100nm，输出功率为0.5-8W，工作电压为1.85V，工作电流为90-105A，阈值电流为15000mA的激光二极管。水冷激光二极管830-1100 nm的更多细节可以在下面看到。

  • S16 半导体激光器

    S16

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的S16是一种激光二极管，其波长为760至830 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为2.1 V，工作电流为105至165 A，阈值电流为10000至14000 mA.S16的更多细节可以在下面看到。

  • S3 半导体激光器

    S3

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    来自Leonardo Electronics US的S3是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为100至300W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.下面可以看到S3的更多详细信息。

  • S12 - QCW 半导体激光器

    S12 - QCW

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S12-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S12-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器

    F5 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为0.5至8 W，工作电压为3.3至4.0 V，工作电流为36 A，输出功率（CW）为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详情见下文。

  • S3 - QCW 半导体激光器

    S3 - QCW

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S3-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S3-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • 水冷激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器

    水冷激光二极管 760 - 830 纳米

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国莱昂纳多电子公司（Leonardo Electronics US）生产的760-830nm水冷激光二极管是一种波长为760-830nm、输出功率为0.5-8W、工作电压为1.85V、工作电流为90-105A、阈值电流为15000mA的激光二极管。水冷激光二极管760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • VCSEL 760 - 830 纳米 半导体激光器

    VCSEL 760 - 830 纳米

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics的VCSEL 760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为0.5至8 W，工作电压为11至22 V，工作电流为110 A，输出功率（CW）为0.5至8 W.

  • S25 - QCW 半导体激光器

    S25 - QCW

    美国
    巴条配置: Horizontal Stack 堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的S25-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S25-QCW的更多细节可以在下面看到。

  • Cs - QCW激光器二极管 半导体激光器

    Cs - QCW激光器二极管

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics公司的CS-QCW激光二极管是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至120 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.CS-QCW激光二极管的更多细节可以在下面看到。

  • Cs 半导体激光器

    Cs

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    来自美国Leonardo Electronics的CS是激光二极管，其波长为760至830nm，输出功率为80至120W，工作电压为1.9至2.1V，工作电流为95至330A，阈值电流为10000至28000mA.有关CS的更多详细信息，请联系我们。

  • F5 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器

    F5 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米

    美国
    堆栈/阵列: Array/Stack

    美国Leonardo Electronics生产的F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管，波长为830至1100 nm，输出功率为0.5至8 W，工作电压为3.3至4.0 V，工作电流为35 A，输出功率（CW）为0.5至8 W.F5-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米 半导体激光器

    F6 - 光纤耦合激光二极管 760 - 830 纳米

    美国

    美国Leonardo Electronics的F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm是一种激光二极管，波长为760至830 nm，输出功率为500至1000 W，工作电压为35至75 V，工作电流为15至51 A，输出功率（CW）为500至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管760-830 nm的更多详细信息见下文。

  • F6 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米 半导体激光器

    F6 - 光纤耦合激光二极管 830 - 1100 纳米

    美国

    美国Leonardo Electronics生产的F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm是一种激光二极管，波长为830至1100 nm，输出功率为200至1000 W，工作电压为35至75 V，工作电流为15至51 A，输出功率（CW）为200至1000 W.F6-光纤耦合激光二极管830-1100 nm的更多详情见下文。