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半导体激光器

已选
  • 美国
  • SemiNex Corporation
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光电查为您提供174个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • B-123 半导体激光器

    B-123

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-123是波长为1350nm，输出功率为6.2W，工作电压为1.8V，工作电流为13A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-123的更多细节可以在下面看到。

  • C-128-108 半导体激光器

    C-128-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的C-128-108是波长为1450nm，输出功率为4.8W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为450mA的激光二极管。C-128-108的更多细节见下文。

  • TO9-128-126 半导体激光器

    TO9-128-126

    美国
    激光增益介质: InP

    TO9-128-126是Seminex公司生产的波长为1550nm，输出功率为0.8W，工作电压为1.4V，工作电流为7A，阈值电流为500mA的激光二极管。有关TO9-128-126的更多详细信息，请联系我们。

  • 14BF-107 半导体激光器

    14BF-107

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的14BF-107是波长为1560nm，输出功率为0.19W，工作电压为2.2V，工作电流为0.9A，阈值电流为55000mA的半导体激光器。14BF-107的更多细节可以在下面看到。

  • CHP-190 半导体激光器

    CHP-190

    美国
    激光增益介质: InP

    CHP-190是Seminex公司生产的波长为1625nm的激光二极管，输出功率为3.5W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA.有关CHP-190的更多详细信息，请联系我们。

  • TO9-148-116 半导体激光器

    TO9-148-116

    美国
    激光增益介质: InP

    TO9-148-116是Seminex公司生产的波长为1550nm，输出功率为1.2W，工作电压为1.4V，工作电流为7A，阈值电流为500mA的激光二极管。有关TO9-148-116的更多详细信息，请联系我们。

  • 14BF-102 半导体激光器

    14BF-102

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的14BF-102是波长为1565nm，输出功率为0.2W，工作电压为2.2V，工作电流为0.9A，阈值电流为55000mA的激光二极管。有关14BF-102的更多详细信息，请联系我们。

  • TO9-102 半导体激光器

    TO9-102

    美国
    激光增益介质: InP

    TO9-102是美国Seminex公司生产的波长为1475nm、输出功率为2.5W、工作电压为1.4V、工作电流为7A、阈值电流为500mA的半导体激光器。有关TO9-102的更多详细信息，请联系我们。

  • B-103 半导体激光器

    B-103

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-103是中心波长为1310nm的激光二极管。该器件采用1.8 V电源供电，输出功率为6.2瓦。该激光二极管采用B-mount封装，是自由空间光通信、军事/航空航天、激光雷达和医疗激光设备应用的理想选择。

  • C-131 半导体激光器

    C-131

    美国
    激光增益介质: InP

    美国Seminex公司的C-131是一种波长为1650nm，输出功率为0.45W，工作电压为3V，工作电流为1.6A，阈值电流为50mA的激光二极管。C-131的更多细节可以在下面看到。

  • B-103-108 半导体激光器

    B-103-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-103-108是波长为1310nm，输出功率为5.9W，工作电压为1.8V，工作电流为13A，阈值电流为500mA的激光二极管。有关B-103-108的更多详细信息，请联系我们。

  • 15P-101 半导体激光器

    15P-101

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的15P-101是波长为1470nm，输出功率为5.4W，工作电压为1.6V，工作电流为16A，阈值电流为700mA的半导体激光器。有关15P-101的更多详细信息，请联系我们。

  • 14BF-103 半导体激光器

    14BF-103

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的14BF-103是波长为1655nm，输出功率为0.16W，工作电压为2.2V，工作电流为0.95A，阈值电流为55000mA的半导体激光器。有关14BF-103的更多详细信息，请联系我们。

  • 14BF-101 半导体激光器

    14BF-101

    美国
    激光增益介质: InP

    14BF-101是Seminex公司生产的波长为1320nm，输出功率为0.3W，工作电压为2.5V，工作电流为1.2A，阈值电流为55000mA的半导体激光器。有关14BF-101的更多详细信息，请联系我们。

  • CHP-156 半导体激光器

    CHP-156

    美国
    激光增益介质: InP

    CHP-156是Seminex公司生产的激光二极管，波长1305nm，输出功率0.72W，工作电压2.6V，工作电流1.3A，阈值电流50mA.有关CHP-156的更多详细信息，请联系我们。

  • TO56m-100-173 半导体激光器

    TO56m-100-173

    美国
    芯片技术: InP 标签: TO56 Mini

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率，脉冲宽度为150ns（占空比为0.1%）。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A，腔长为1500μm.它具有30度（垂直）的快轴划分和10度（平行）的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源，阈值电流高达1 A.它采用TO56封装，尺寸为50 X 1μm，非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56m-300 半导体激光器

    TO56m-300

    美国
    芯片技术: InP 标签: TO56 Mini

    Seminex公司的TO56M-300是基于InP的红外激光二极管，工作波长为1550 nm.该激光器腔长为1250μm，光谱宽度为28.8nm，输出功率为15W，斜率效率为0.2W/A，功率效率为2%。它需要8.6 V的直流电源，阈值电流为1 A.该激光二极管采用TO56封装，非常适合OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56-105 半导体激光器

    TO56-105

    美国
    激光增益介质: InP

    TO56-105是Seminex公司生产的波长为1530~1580nm的激光二极管，输出功率1.8W，工作电压3V，工作电流2A，阈值电流50mA.有关TO56-105的更多详细信息，请联系我们。

  • TO56-104-126 半导体激光器

    TO56-104-126

    美国
    激光增益介质: InP

    TO56-104-126是Seminex公司生产的波长为1530~1580nm的激光二极管，输出功率为28W，工作电压为6.6V，工作电流为100A，阈值电流为3800mA.有关TO56-104-126的更多详细信息，请联系我们。

  • TO56迷你型 半导体激光器

    TO56迷你型

    美国
    芯片技术: InP 标签: TO56 Mini

    Seminex Corporation的TO56 Mini是一款激光二极管，工作波长为1250 nm和1550 nm.它提供了15W的脉冲输出功率，并且具有28.8nm的光谱宽度（FWHM）。这款激光二极管采用紧凑型56英寸封装，带有1.9 mm底座和可选的2.8 mm电容。它是OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事和照明应用的理想选择。