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  BW10-1550-T-T7

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：Bandwidth10 Ltd.

  Bandwidth10的BW10-1550-T-T7是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜，可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺，为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于波长稳定，采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps，典型的调谐范围为10纳米。TOSA可用于通过C-和L-波段的几个波段。

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  QFLD-808-100S

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：QPhotonics

  技术: Fabry-Perot Laser (FP)

  Qphotonics公司的QFLD-808-100S是波长为803 nm的激光二极管，输出功率为0~0.1 W，工作电压为2.04 V，工作电流为0.16~0.16 A，阈值电流为39 mA.有关QFLD-808-100S的更多详细信息，请联系我们。

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  40W 18FFx2mm TE

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：相干公司

  堆栈/阵列: Single Bar 横模: TE

  来自Coherent Inc.的40W 18FFx2mm TE是一款激光二极管，波长为780至830 nm，输出功率为40 W，工作电压为2 V，工作电流为42至46 A.有关40W 18FFx2mm TE的更多详细信息，请联系我们。

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  LCW/SCW系列。仪器激光模块 脉冲和连续的应用

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：OSI Laser Diode, Inc.

  OSI激光二极管公司'为满足光学测试设备的性能要求，设计了一种高功率单模光纤耦合激光器?？?/p>

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  QLD-1060-50S

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：QPhotonics

  技术: Fabry-Perot Laser (FP) 激光增益介质: InGaAs, AlGaAs or InGaAsP

  来自Qphotonics的QLD-1060-50S是波长为1069nm的激光二极管，输出功率为0至0.05W，工作电压为1.74V，工作电流为0.096至0.096A，阈值电流为23mA.有关QLD-1060-50S的更多详细信息，请联系我们。

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  II-VI CMDFB1030A；1030nm种子源激光器；高输出连续脉冲功率为 800 mW

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：II-VI Laser Enterprise GmbH

  激光类型: Pulsed 纤维类型: Single Mode 纤维芯直径: 5.5 um 光纤包层直径: 125 um

  II-VI CMDFB10xxA波长稳定的高功率单模激光器模块被设计为脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用的光源。 位于激光腔中的分布式反馈光栅（DFB）可在几次往返行程内实现波长稳定。激光芯片和封装针对亚纳秒级脉冲操作进行了优化。将光纤耦合到激光器的工艺和技术允许高峰值输出功率，这些功率在时间和温度下都非常稳定。

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  CHP-190

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：SemiNex Corporation

  激光增益介质: InP

  CHP-190是Seminex公司生产的波长为1625nm的激光二极管，输出功率为3.5W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA.有关CHP-190的更多详细信息，请联系我们。

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  IPDFD1601

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：InPhenix

  技术: Distributed Feedback (DFB)

  来自Inphenix的IPDFD1601是波长为1650至1670 nm的激光二极管，输出功率为3至5 MW，输出功率为0.00 3至0.005 W，工作电流为0.08 A，工作电流<80 mA.有关IPDFD1601的更多详细信息，请联系我们。

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  ARR291P1800

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：Cutting Edge Optronics

  半导体激光器巴条: 12

  H封装激光二极管阵列专为直接二极管应用（例如脱毛和塑料焊接）而设计。该封装采用二维配置，脉冲持续时间为0.5ms至300ms，每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠（可根据要求提供定制选项）。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却，使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装，以实现更坚固的组装，从而提高可靠性。

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  FPL1059S

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：索雷博

  技术: Quantum Well, Fabry-Perot Laser (FP)

  Thorlabs Inc的FPL1059S是一款激光二极管，波长1650 nm，输出功率0.08 W，工作电压0.35至3.5 V，工作电流0.4至0.5 A，输出功率（CW）0.08 W.FPL1059S的更多详细信息可参见下文。

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  BW10-1550-T-TO

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：Bandwidth10 Ltd.

  Bandwidth10的BW10-1550-TO是基于创新的高对比度光栅（HCG）单模1550nm VCSEL的激光器系列的一部分。 使用HCG作为可调谐的反射镜，可以实现晶圆规模、低成本的制造工艺，为各种应用提供简单的电压控制的波长调谐。 HCG VCSEL与一个热电冷却器共同封装，用于波长稳定，采用7针TO56封装。它的调制速度高达10Gbps，典型的调谐范围为10纳米。该TO可用于通过C-和L-波段的几个波段。

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  I1064SB0300P

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：Innovative Photonic Solutions

  技术: Distributed Feedback Laser (DFB)

  Innovative Photonic Solutions的I1064SB0300P是一款激光二极管，波长为1064 nm，输出功率为0.3 W，工作电压为2.2 V，工作电流为0.75 A，输出功率（CW）为0.3 W.有关I1064SB0300P的更多详细信息，请联系我们。

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  S6 - QCW

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：Leonardo Electronics US

  堆栈/阵列: Array/Stack

  美国Leonardo Electronics公司的S6-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为2 V，工作电流为85至120 A，阈值电流为7000至10000 mA.S6-QCW的更多细节可以在下面看到。

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  TO9-148-116

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：SemiNex Corporation

  激光增益介质: InP

  TO9-148-116是Seminex公司生产的波长为1550nm，输出功率为1.2W，工作电压为1.4V，工作电流为7A，阈值电流为500mA的激光二极管。有关TO9-148-116的更多详细信息，请联系我们。

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  cwv-hp-to-400-860

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：FLIR Integrated Imaging Solutions

  技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL)

  来自Teledyne FLIR的CWV-HP-TO-400-860是波长为860 nm、输出功率为400 MW、工作电压为2.2 V、工作电流为550 mA的激光二极管。有关CWV-HP-TO-400-860的更多详细信息，请联系我们。

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  DBR795PN

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：索雷博

  技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR)

  来自Thorlabs的DBR795PN是一款单频激光二极管，可在795nm波长下提供40mW的输出功率。该分布式布拉格反射器（DBR）包括集成的光隔离器、热电冷却器（TEC）、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装，配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器，该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合于低噪声泵浦应用，例如87Rb D1跃迁；二次谐波产生；和时间分辨荧光光谱。

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  FAP600-25W-805.0to811.0-F<3.5-25C

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：相干公司

  堆栈/阵列: Single Bar

  Coherent Inc.的FAP600-25W-805.0TO811.0-F<3.5-25C是一款激光二极管，波长为808 nm，输出功率为25 W，工作电压为2 V，工作电流为36 A.FAP600-25W-805.0TO811.0-F<3.5-25C的更多详情见下文。

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  730-808nm 1-35W激光二极管

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：ELK Industries, LLC

  Elk Industries提供多种激光二极管。

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  日亚紫光405nm-450nm激光二极管NDV4B16

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：BeamQ Lasers

  日亚紫405nm-450nm激光二极管NDV4B16特点：光输出功率：连续波300mW（@TC=25℃）峰值波长：405nmCAN类型：5.6浮动安装，带光电二极管和齐纳二极管。绝对较大额定值：光输出功率（@TC=25℃）*：360mW允许反向电流：85mAPD反向电压：5V储存温度：-40~85℃工作环境温度：0~70℃初始电/光特性（TC=25℃）光输出功率：300 MW峰值波长：410nm阈值电流：35mA工作电流：250mA坡度效率：1.9W/a工作电压：5.8V

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  iFLEX-iRIS - 730nm 20mW

  美国

  分类：半导体激光器

  厂家：Excelitas Technologies

  Qioptiq iFlex-IRIS?固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。