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输出电流
Output Current（A）
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输出电压
Output Voltage（VDC）
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光电查为您提供32个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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LA LM29NIV2
芯片宽度: 735μm 芯片长度: 735μm 芯片高度: 100μm 辐射功率: 800-1200mW 光束发散角: 17-25°LA LM29NIV2是一款850 nm多模激光二极管芯片，适用于消费电子、工业应用以及手势识别等多个领域。
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LA LM29MIV2
芯片宽度: 680μm 芯片长度: 795μm 芯片高度: 105μm 微分效率: 1W/A 辐射功率: 2300mWLA LM29MIV2是一款940nm多模红外激光二极管，适用于消费电子、工业等领域，具备低阈值和中等功率特性。
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LA LM40NIV2
芯片宽度: 980μm 芯片长度: 980μm 芯片高度: 100μm 微分效率: 1W/A 辐射功率: 2400mWLA LM40NIV2是一款850nm多模激光二极管，适用于消费、工业、手势识别和飞行时间测量等应用。
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LA LM40MIV3
芯片高度: 85-115 μm 键合焊盘直径: 90 μm 辐射功率: 2400 mW 斜率效率: 0.9-1.0 W/A 波长漂移: 0.07 nm/°CLA LM40MIV3是一款940 nm波长的中红外VCSEL芯片，适用于光电传感器、光学编码器等高性能消费类应用。
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LA LM08NIV3
芯片高度: 150-170μm 键合焊盘直径: 95μm 辐射功率: 4.5-7.5mW 斜率效率: 0.5-1.2W/A 连续正向电流: 15mALA LM08NIV3是一款高性能近红外VCSEL芯片，适用于传感器光源和消费电子产品，具有优越的光提取效率和性能。
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LA LM06MIV3
芯片高度: 85-100-115μm 键合焊盘直径: 80μm 辐射功率: 5mW 最大连续电流: 12mA 人体模型: 200VLA LM06MIV3是一款940nm的中红外VCSEL芯片，适用于传感器光源和消费电子产品，具有高性能和高性价比。
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LA LS56HRSM1
阈值电流: 40 90 mA 差分效率: 0.5 1.1 W/A 正向电压: 2.4 3.5 V 正向电流: 122 250 mA 峰值波长: 652 660 670 nm超红激光二极管（660 nm），单模激光器，适用于各种应用场景。
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LA LM5659MIV3
芯片高度: 105-135μm 键合焊盘直径: 90μm 辐射功率: 4000mW 斜率效率: 0.85-1.0W/A 功率转换效率: 40%LA LM5659MIV3是一款中红外VCSEL芯片，具有高功率和高效率，广泛应用于移动传感器、光电传感器等领域。
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LA LM2631NIV3
芯片高度: 105μm 键合焊盘直径: 95μm 辐射功率: 1000mW 功率转换效率: 38-43% 波长漂移: 0.07nm/°CLA LM2631NIV3是一款高性能的近红外VCSEL芯片，适用于移动传感器、光电传感器等多个应用领域，具备出色的功率转换效率和光提取率。
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LA LM2631MIV3
芯片高度: 105μm 键合焊盘直径: 95μm 正向电压: 1.7-2.0-2.3V 辐射功率: 1000mW 功率转换效率: 42%LA LM2631MIV3是一款高性能的VCSEL芯片，适用于移动传感器、光电传感器和3D传感等应用，具有卓越的光提取效率和成本性能比。
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LA LM0609AIV3
芯片高度: 85-115μm 键合垫直径: 100x75μm 发射面直径: 28μm 辐射功率: 3-3.5mW 斜率效率: 0.4-0.5W/ALA LM0609AIV3是一款680nm红色VCSEL芯片，适用于传感器光源和消费电子，具备优异的性价比。
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LA LS56HRSM2
阈值电流: 55 75 mA 正向电压: 2.0 2.6 3.0 V 正向电流: 220 245 mA 峰值波长: 645 650 655 nm 平行FWHM: 6 8 10 °LA LS56HRSM2超红激光二极管，具备200mW光功率，适用于光谱学、传感器、汽车及工业等领域。