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LA PA180MP1
厂家:Chips 4 Light
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Optilab DFB-1470-DL 单模双线DFB激光器
厂家:Optilab
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DUV255-SD353
厂家:Roithner Lasertechnik
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HSMF-C11B
厂家:Broadcom
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HSMF-C144
厂家:Broadcom
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TL1L3-NW1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L3 Series东芝公司生产的TL1L3-NW1,L是一款LED,正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为1000 mA,光通量为135 LM,工作温度为-40至100摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-NW1,L的更多详细信息见下文。
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TL1L3-NW0,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L3 Series东芝公司的TL1L3-NW0,L是一款LED,正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为1000 mA,光通量为145 LM,工作温度为-40至100摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-NW0,L的更多详细信息如下所示。
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SMLMN2ECT(C)
芯片技术: InGaN 颜色: Bluish-GreenRohm Semiconductor的SMLMN2ECT(C)是一款LED,正向电压为3 V,正向电流为5至20 mA,发光强度CD为0.056至0.14 CD,发光强度MCD为56至140 MCD,反向电流为10μA.有关SMLMN2ECT(C)的更多详细信息,请联系我们。
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TL1L4-NW0,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L4 Series东芝公司的TL1L4-NW0,L是一款LED,正向电压为2.6至3.2 V,正向电流为1500 mA,光通量为135至160 LM,工作温度为-40至125摄氏度,存储温度为-40至125摄氏度。
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TL1L3-DW0,L4A5B
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L3 Series东芝公司的TL1L3-DW0,L4A5B是一款LED,正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为1000 mA,光通量为140 LM,工作温度为-40至100摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-DW0,L4A5B的更多详细信息如下所示。
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TL1L4-WH1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.382, CY=0.38 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L4 Series东芝公司生产的TL1L4-WH1,L是一款LED,正向电压为2.6至3.2 V,正向电流为1500 mA,光通量为120至140 LM,工作温度为-40至125摄氏度,存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-WH1,L的更多详情见下文。
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TL1WK-LL1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White 热敏电阻: 17 Degree C/W 标签: TL1WK Series来自东芝公司的TL1WK-LL1,L是一种LED,其正向电压为2.7至3.1 V,正向电流为180 mA,光通量为18.5 LM,工作温度为-40至120摄氏度,存储温度为-40至120摄氏度。
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TL1L2-NW1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L2 Series来自东芝公司的TL1L2-NW1,L是一种LED,其正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为1000 mA,光通量为128 LM,反向电流为100 uA,工作温度为-40至100摄氏度。
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TL1L3-NT0,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.329, CY=0.342 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L3 Series东芝公司的TL1L3-NT0,L是一款LED,正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为1000 mA,光通量为145 LM,工作温度为-40至100摄氏度,存储温度为-40至100摄氏度。TL1L3-NT0,L的更多详细信息如下所示。
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SML-D15YW
芯片技术: AIGaInP 颜色: Yellow来自Rohm Semiconductor的SML-D15YW是电流为20mA、正向电压为2.1V、正向电流为20mA、发光强度CD为0.224cd、发光强度MCD为224mcd的LED.有关SML-D15YW的更多详细信息,请联系我们。
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TL1WK-NW1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White 热敏电阻: 17 Degree C/W 标签: TL1WK Series东芝公司的TL1WK-NW1,L是一款LED,正向电压为2.7至3.1 V,正向电流为180 mA,光通量为21.8 LM,工作温度为-40至120摄氏度,存储温度为-40至120摄氏度。
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TL1L2-DW0,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L2 Series来自东芝公司的TL1L2-DW0,L是一种LED,其正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为1000 mA,光通量为135 LM,反向电流为100 uA,工作温度为-40至100摄氏度。
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TL3GB-NW1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.345, CY=0.355 颜色: White 热敏电阻: 17 Degree C/W 标签: TL3GB Series来自东芝公司的TL3GB-NW1,L是一种LED,其正向电压为5.5至6.1V,正向电流为200mA,光通量为68lm,反向电压为0.75V,工作温度为-40至100℃。
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SMLD12E2N1W
芯片技术: InGaN 颜色: Bluish-Green来自Rohm Semiconductor的SMLD12E2N1W是一款LED,正向电压为2.9 V,正向电流为20 mA,发光强度CD为0.056至0.12,发光强度MCD为56至120 MCD,反向电流为10μA.有关SMLD12E2N1W的更多详细信息,请联系我们。
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TL1L4-NT1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.329, CY=0.342 颜色: White 热敏电阻: 5 Degree C/W 标签: TL1L4 Series东芝公司的TL1L4-NT1,L是一款LED,正向电压为2.6至3.2 V,正向电流为1500 mA,光通量为125至145 LM,工作温度为-40至125摄氏度,存储温度为-40至125摄氏度。TL1L4-NT1,L的更多详细信息见下文。
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TL2FL-LW1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.434, CY=0.403 颜色: White 热敏电阻: 30 Degree C/W 标签: TL2FL Series东芝公司的TL2FL-LW1,L是一款LED,正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为100 mA,光通量为20.4 LM,反向电压为0.75 V,工作温度为-40至100摄氏度。
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KL898
颜色: Red, Infrared来自Shinkoh Electronics的KL898是正向电压为1.6至2.2 V、正向电流为50至60 mA、反向电流为10 uA、波长为660至890 nm、功率为0.2至2.3 MW的LED.有关KL898的更多详细信息,请联系我们。
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KEDE1551M51
芯片技术: GaAlAs 颜色: InfraredKyoto Semiconductors的KEDE1551M51是一款GaAIAS芯片红外LED,工作波长为1500至1600 nm.它的光输出功率为1.6 MW,光谱宽度为120 nm.LED的正向电压为0.75 V,反向电流为10μA.它提供了清晰的方向性,并使用GaAIAS技术制造。该LED采用塑料模制封装,是光学仪器和光学开关应用的理想选择。
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TL1F2-DW0,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.313, CY=0.329 颜色: White 热敏电阻: 8 Degree C/W 标签: TL1F2 Series来自东芝公司的TL1F2-DW0,L是一种LED,其正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为550 mA,光通量为135 LM,反向电流为100 uA,工作温度为-40至100摄氏度。TL1F2-DW0,L的更多详细信息可参见下文。
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TL1F2-LL1,L
芯片技术: GaN-on-Si 色度坐标: CX=0.458, CY=0.41 颜色: White 热敏电阻: 8 Degree C/W 标签: TL1F2 Series来自东芝公司的TL1F2-LL1,L是一种LED,其正向电压为2.7至3.3 V,正向电流为550 mA,光通量为100 LM,反向电流为100 uA,工作温度为-40至100摄氏度。