光电查为您提供6个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  BBO Pockles Cell

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：晶众光电

  孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 消光比: >= 1000:1

  BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态，当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比，因此，较小的孔径，较低的四分之一波电压，此外，具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-

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  DKDP Pockles Cell

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：晶众光电

  孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 消光比: >= 1000:1

  DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小（约3-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能

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  DKDP Q-Switch Pockels Cells

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：济南智和弘盛光电科技有限公司

  孔径: 19mm 峰值光功率密度: 500MW/cm^2 消光比: >= 5000:1

  定制普克尔盒

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  CRYSTECH RTP Q-开关

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Crystech

  孔径: 2-8mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 消光比: >= 100:1

  RTP（磷酸钛氧铷-RbTiOPO4）是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射，它总是成对工作，仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播，沿输入面的对角线偏振，并在第二晶体中旋转90°。然后，先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线，因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源，其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。

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  CRYSTECH DKDP Pockels Cell

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Crystech

  孔径: 3-30mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 消光比: >= 1000:1

  KD*P（磷酸二氘钾）由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料，当施加的电压引起晶体中的双折射变化时，诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态，当与偏振器结合使用时，KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1μm的应用，其中吸收限制了其在有源腔中的使用，尽管当可以容忍几个百分点的吸收时，它可以在更长的波长下使用。

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  光电设备

  中国大陆

  分类：电光调制器(EOM)

  厂家：Castech Inc.

  孔径: 1064mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 消光比: >= 1000:1

  普克尔盒用于当向电光晶体（如KD*P、BBO、RTP等）的电极施加电压时，改变通过它的光的偏振态。Castech具有不同类型的BBO和DKDPQ开关，具有高损伤阈值和消光比。