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边缘发射半导体激光器(Edge-emitting Semiconductor Lasers)

更新时间:2025-12-07 11:33:30

分类: 激光

定义: 沿晶片平面发光的半导体激光器

边缘发射半导体激光器(Edge-emitting Semiconductor Lasers) 详述

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目录

1. 诞生背景

边缘发射半导体激光器是一种沿晶片平面发光的半导体激光器。它的诞生背景主要是为了满足高速通信、光纤通信、光存储等领域对于高功率、高效率、高速率的需求。随着科技的发展,边缘发射半导体激光器的性能也在不断提升,为现代通信技术的发展提供了重要支持。

2. 相关理论或原理

边缘发射半导体激光器的工作原理主要基于半导体的能带结构和载流子的再结合辐射。在半导体材料中,当电子从导带跃迁到价带,会释放出能量,这种能量以光子的形式发射出来,形成激光。这个过程可以用以下公式表示:E=hv,其中E是光子的能量,h是普朗克常数,v是光的频率。

3. 重要参数指标

边缘发射半导体激光器的重要参数指标主要包括工作波长、输出功率、阈值电流、斜效率、线宽、调制带宽等。其中,工作波长决定了激光器的应用领域,输出功率和斜效率反映了激光器的能量转换效率,阈值电流是激光器开始发射激光的最小电流,线宽和调制带宽则关系到激光器的通信性能。

4. 应用

边缘发射半导体激光器广泛应用于光纤通信、光存储、激光打印、激光切割、医疗设备等领域。在光纤通信中,它可以提供高速率、高功率的光信号;在光存储中,它可以提供高精度的读写能力;在激光打印和激光切割中,它可以提供高能量的激光束;在医疗设备中,它可以提供精确的激光治疗。

5. 分类

根据结构和工作方式的不同,边缘发射半导体激光器可以分为脉冲激光器和连续激光器,分别适用于不同的应用场景。脉冲激光器主要用于短距离、高速率的通信,而连续激光器则主要用于长距离、低速率的通信。

6. 未来发展趋势

随着科技的发展,边缘发射半导体激光器的性能将进一步提升,应用领域也将进一步扩大。在未来,我们期待看到更高效率、更高功率、更高速率的边缘发射半导体激光器,以满足更高级别的通信、存储、医疗等需求。

7. 相关产品及生产商

目前市场上主要的边缘发射半导体激光器产品有Finisar的10Gbps边缘发射半导体激光器、Avago的25Gbps边缘发射半导体激光器等。这些产品在光纤通信、光存储等领域有广泛的应用。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 亚纳秒主动调Q固体激光器 激光器??楹拖低?>
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        <span id= 亚纳秒主动调Q固体激光器 激光器??楹拖低?/a> ALPHALAS GmbH

    工作波长: 1064 能量/脉冲: 20@1kHz 能量/脉冲: 40@1kHz

    PULSELAS?-A系列是由ALPHALAS公司提供的一系列亚纳秒主动调Q固体激光器,采用二极管泵浦技术,具有极短的脉冲持续时间(约1纳秒)和高峰值功率,覆盖红外、可见光和紫外波段,适用于多种应用场景。

  • UPD系列超快光电探测器 激光器??楹拖低?>
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        <span id= UPD系列超快光电探测器 ALPHALAS GmbH

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        <span id= FC-W-940 H高功率光纤耦合半导体激光器系统 激光器??楹拖低?/a> Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co Ltd

    型号: FC-W-940H 波长范围: 940±10 工作模式: CW

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  • 单模光纤输出激光器 激光器??楹拖低?>
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        <span id= 单模光纤输出激光器 Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co Ltd

    部件编号: MIL-T-1064-SM 波长范围: 1064±1 工作模式: CW

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