研究目的
研究(Al,In)GaN激光二极管和超辐射发光二极管中载流子诱导的内建电场屏蔽效应及其对量子限制斯塔克效应的影响。
研究成果
研究表明，氮化物激光二极管的激射现象发生在强电场环境下，且这些电场在激射阈值处并未完全被屏蔽。即使在远高于激射阈值对应电流的情况下，发射能量偏移仍持续存在，这表明电场并未被载流子完全屏蔽。
研究不足
该研究的局限性在于假设了电流与线性偏移的关系，并忽略了低电流下的带尾填充效应。串联电阻等参数的离散性也可能影响结果。
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氮化物激光二极管与超辐射发光二极管中量子限制斯塔克效应的筛选
DOI：10.7567/1882-0786/ab0730
期刊：Applied Physics Express
出版年份：2019
更新时间：2025-11-14 15:24:45
摘要：
在本研究中，我们报道了(Al,In)GaN激光二极管和超辐射发光二极管中载流子诱导内建电场屏蔽现象的观测结果。我们采用发射峰能量作为量子限制斯塔克效应及其被自由载流子屏蔽的度量指标。对于超辐射发光二极管，我们观察到屏蔽效应持续增强直至电流密度达到10 kA/cm2。这表明氮化物激光二极管的激射过程发生在远离平带条件的高电场环境下。
作者：
Anna Kafar，Szymon Stanczyk，Szymon Grzanka，Katarzyna Pieniak，Tadeusz Suski，Piotr Perlin
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