研究目的
研究在低温工艺条件下制备高性能多晶锗锡（poly-GeSn）无结薄膜晶体管（JL-TFTs），以应用于下一代电子器件。
研究成果
研究表明，在低温工艺条件下成功制备了高性能多晶锗锡共晶结型场效应晶体管（poly-GeSn JL-TFTs），并通过界面钝化技术显著提升了器件性能。该研究凸显了这类器件在下一代电子器件中的应用潜力。
研究不足
该研究受限于在低工艺温度下实现绝缘体上高质量多晶锗锡薄膜的技术约束，以及器件性能存在优化潜力。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用共溅射与脉冲激光退火（PLA）技术制备多晶GeSn薄膜。
2：样品选择与数据来源：
通过磁控共溅射在覆盖800纳米SiO2膜的硅衬底上沉积不同锡化学含量的非晶GeSn（a-GeSn）。
3：实验设备与材料清单：
包括用于PLA的248纳米KrF准分子激光器、磁控溅射腔室，以及用于栅极堆叠沉积的原子层沉积（ALD）设备。
4：实验流程与操作步骤：
包含a-GeSn薄膜沉积、PLA处理、器件图形化及表征等环节。
5：数据分析方法：
通过拉曼光谱、X射线衍射（XRD）图谱、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）表征GeSn薄膜的结晶度与形貌。
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获取完整内容-
KrF excimer laser
248 nm
Used for pulsed laser annealing (PLA) to crystallize amorphous GeSn into poly-GeSn.
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magnetron sputtering chamber
Used for depositing amorphous GeSn (a-GeSn) thin films.
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atomic layer deposition (ALD)
Used for depositing gate stack layers.
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Litmas Remote Plasma Source
Advanced Energy
Used for in situ remote O2 plasma treatment for gate/channel interface passivation.
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