研究目的
研究质子辐照及光照退火对无氟化铯(CsF-free)和经CsF处理的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的影响。
研究成果
未添加氟化铯(CsF)和添加氟化铯处理的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池在质子辐照下均出现性能退化,其中经CsF处理的电池退化更为严重。存储后观察到部分性能恢复,光照退火有助于性能恢复,尤其对低注量辐照的电池效果显著。高注量质子辐照会产生难以恢复的深层缺陷。
研究不足
该研究聚焦于无CsF和经CsF处理的CIGS太阳能电池在光照条件下的质子辐照效应及退火处理,对其他辐照类型或条件的探索较为有限。
1:实验设计与方法选择:
研究对无CsF和经CsF处理的CIGS太阳能电池进行了质子辐照及光照条件下的退火处理。
2:样品选择与数据来源:
CIGS薄膜通过三阶段共蒸发工艺沉积在钠钙玻璃基板上。
3:实验设备与材料清单:
分子束外延系统、化学浴沉积(CBD)CdS缓冲层、射频溅射制备ZnO和ZnO:Al薄膜,以及用于J-V特性测量的太阳光模拟器。
4:实验流程与操作步骤:
采用380 keV质子进行不同注量辐照,通过太阳光模拟器测量J-V特性,在不同频率下记录电容-电压(C-V)曲线。
5:数据分析方法:
运用SCAPS-1D建模分析缺陷与器件性能的关系。
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