研究目的
为开发适用于大尺寸8K4K液晶电视和高分辨率OLED电视的高迁移率稳定薄膜晶体管(TFT),重点研究背沟道刻蚀(BCE)结构TFT和自对准共面结构TFT。
研究成果
采用4次掩模工艺的GOA与BCE结构a-IGZO TFT驱动的85英寸8K4K 120Hz AMLCD电视,以及自对准共面结构a-IGZO TFT实现的31英寸4K2K顶发射IJP AMOLED显示器的研发,证明了氧化物TFT技术在高端显示领域的潜力。未来工作将着重提升均匀性与稳定性。
研究不足
BCE结构薄膜晶体管对工艺条件的敏感性,以及湿法蚀刻过程中最小化背沟道损伤的挑战。需要仔细考虑钝化层沉积条件以确保薄膜晶体管的稳定性。
1:实验设计与方法选择:
为8K4K有源矩阵液晶显示器(AMLCD)开发背沟道刻蚀(BCE)结构薄膜晶体管(TFT),为有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)设计自对准共面结构TFT。
2:样品选择与数据来源:
采用高迁移率、低关态电流的a-IGZO TFT。
3:实验设备与材料清单:
基于铜/钼(Cu/Mo)的TFT、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)二氧化硅(SiO2)工艺,以及有机发光二极管(OLED)器件的喷墨打印(IJP)工艺。
4:实验流程与操作步骤:
优化刻蚀工艺、沉积条件及等离子体处理,以提升TFT稳定性和性能。
5:数据分析方法:
评估不同应力条件下的转移特性、阈值电压偏移及均匀性。
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