研究目的
开发一种新型非接触式测量方法,用于监测热激光分离(TLS)工艺,实现对TLS裂纹的原位检测,确保半导体晶圆切割的高良率。
研究成果
所提出的方法能够原位检测TLS裂纹,实现工艺监控及潜在返工。后续工作需对该系统进行改进,以适应更高通量需求,并在宽晶圆条带上提升对比度值。
研究不足
该方法需要针对不同材料和划线宽度进行调整。当前设置的进给速度低于典型TLS进给速度,且对比度值随晶圆条纹尺寸变化。
研究目的
开发一种新型非接触式测量方法,用于监测热激光分离(TLS)工艺,实现对TLS裂纹的原位检测,确保半导体晶圆切割的高良率。
研究成果
所提出的方法能够原位检测TLS裂纹,实现工艺监控及潜在返工。后续工作需对该系统进行改进,以适应更高通量需求,并在宽晶圆条带上提升对比度值。
研究不足
该方法需要针对不同材料和划线宽度进行调整。当前设置的进给速度低于典型TLS进给速度,且对比度值随晶圆条纹尺寸变化。
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