研究目的
研究随机合金涨落对InGaN/GaN多量子阱体系中电子透射概率的影响。
研究成果
随机合金涨落显著影响InGaN/GaN多量子阱系统中的传输概率，尤其是量子阱中能量最低的束缚态。该框架为未来从原子尺度研究InGaN/GaN发光二极管的输运特性提供了良好起点。
研究不足
该研究最初忽略了内建电场和局部应变效应，以专注于随机合金涨落的影响。
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[IEEE 2019年国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - 加拿大安大略省渥太华(2019.7.8-2019.7.12)] 2019年国际光电器件数值模拟会议(NUSOD) - InGaN/GaN多量子阱输运特性的原子尺度分析
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DOI：10.1109/NUSOD.2019.8806898
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
我们对InGaN/GaN多量子阱系统的输运特性进行了原子尺度的分析。本研究采用紧束缚理论与非平衡格林函数理论相结合的方法。在完全三维的处理中，我们特别关注随机合金涨落对电子透射概率的影响。计算结果表明，至少对于量子阱中能量最低的束缚态而言，合金微观结构会显著影响透射特性。
作者：
Michael O’Donovan，Mathieu Luisier，Eoin P. O’Reilly，Stefan Schulz
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