研究目的
研究p-GaN/AlGaN/GaN异质结构光电探测器在高灵敏度紫外探测中的性能表现。
研究成果
p-GaN/AlGaN/GaN异质结光电探测器展现出卓越性能，具有高响应度、高光电暗电流比和大紫外/可见光抑制比，表明其在高灵敏度紫外探测应用中具有潜力。
研究不足
该研究未讨论光电探测器的长期稳定性或可扩展性。此外，其制备过程需要精确控制，这可能会限制重现性。
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[IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019化合物半导体周（CSW）- 采用p-GaN/AlGaN/GaN异质结构的高响应度低暗电流紫外光电探测器
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[IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019化合物半导体周（CSW）- 采用p-GaN/AlGaN/GaN异质结构的高响应度低暗电流紫外光电探测器
DOI：10.1109/iciprm.2019.8819330
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
本文报道了一种具有高响应度和高光电暗电流比（Iph/Idark）的p-GaN/AlGaN/GaN异质结光电探测器（PD）。由于p型GaN对异质结中二维电子气的本征耗尽作用，该探测器在保持AlGaN/GaN异质结器件高光电流和高响应度优势的同时，显著抑制了暗电流。因此，在365 nm波长、5 μW/mm2强度的紫外光照射下，器件在5 V偏压时实现了2×10? A/W的大响应度和10?的高Iph/Idark值。此外，该器件还展现出约3000的优异紫外-可见光抑制比。与已有报道相比，本工作器件的卓越性能表明基于p-GaN/AlGaN/GaN异质结的光电探测器在高灵敏度紫外探测领域具有重要应用潜力。
作者：
Qifeng Lyu，Huaxing Jiang，Xing Lu，Kei May Lau
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