摘要： 利用局域表面等离子体共振（LSPR）提升有机发光二极管（OLED）产率的研究已有大量文献报道。目前已发现多种增强机制，包括福斯特能量转移增强、OLED电致发光增强、电流I增大及启亮电压V降低[1,2]。然而这些机制尚未被完全研究透彻。使用金属纳米颗粒（NPs）的主要问题在于其导电性带来的固有损耗，另一个重要议题是如何评估其对总产率增强的电学与光学效应。此外，LSPR波长及金属NPs与OLED发光层（EML）的距离是实现激子与NPs LSPR之间近场能量转移最大增强的关键参数。实际上，LSPR会改变邻近发射体的辐射与非辐射衰减速率，产生两种竞争过程：荧光团辐射强度增强与NP金属表面激活荧光团的非辐射猝灭。要实现整体增强，需精细调节荧光团与LSPR的共振能量，并控制金属NPs与发射体之间的适当距离。 本研究通过热蒸镀工艺在OLED制备过程中，将随机分散的银纳米颗粒（Ag NPs）掺入标准客主型OLED（Alq3:DCM）体系，进行了系统研究。我们主要通过改变Ag NPs在OLED堆叠结构中的位置（图1），追踪银薄膜与激子间的相互作用。针对每个Ag NPs位置，将其等离子体-OLED性能与无NPs的参照样品（零线）进行对比，并综合分析电致发光效率随Ag NPs位置变化与OLED发光层内激子分布的关系。实验结果使我们能够权衡Ag NPs导致的放大效应与猝灭效应。通过考虑EML内发射位点的空间分布，我们特别揭示了两种竞争效应：当Ag NPs与发射位点距离较大时LSPR的放大效应，以及当Ag NPs与发射位点距离较小时金属NPs的猝灭效应。但为全面理解等离子体纳米颗粒对OLED结构性能的影响，还需考虑Ag NPs对载流子注入传输及提取效应等其他现象。 本研究提出通过以下综合指标（(cid:75) (cid:97) σ. (cid:69)a. (cid:69)q. (cid:75)ex）评估总产率：其中(cid:86)表征电学效应，(cid:69)a和(cid:69)b分别代表LSPR放大与等离子体猝灭，(cid:75)ex与提取效应相关。各参数权重取决于NPs-EML距离，形成阳极侧、阴极侧及EML邻近区三个重点区域?；剐杩悸且跫胙艏嗟牧街植煌锢硐窒螅ㄍ?蓝绿线）以及近场与远场的关联性。这些成果对开发新一代高效OLED器件具有重要价值。