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[IEEE 2019化合物半导体周(CSW) - 日本奈良 (2019.5.19-2019.5.23)] 2019年化合物半导体周(CSW) - 集成液晶微腔的磷化铟基器件,用于可调谐激光发射或波长选择性光电探测

DOI:10.1109/iciprm.2019.8819007 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 研究了采用液晶微腔与基于磷化铟材料制备的光电二极管或垂直腔面发射激光器表面单片集成的波长可调谐光子器件。对于这两种器件,我们证明在光电二极管中可实现超过70纳米的波长检测范围调节,在垂直腔面发射激光器中则可实现超过20纳米的发射波长调节范围。
作者: C. Levallois,B. Boisnard,C. Paranthoen,S. Pes,T. Camps,B. Sadani,S. Bouchoule,L. Dupont,M. Alouini,V. Bardinal
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研究概述 实验方案 设备清单

研究利用液晶微腔单元(单块集成于基于磷化铟材料制备的光电二极管或垂直腔面发射激光器表面)实现波长调谐功能的新型光子器件。

该研究表明,利用液晶微腔可在光电二极管上实现超过70纳米的检测/发射波长调谐范围,在垂直腔面发射激光器上实现超过20纳米的调谐范围。这种方法为紧凑型动态可重构波长源和探测器提供了一种有望替代微机电系统(MEMS)技术的方案。

实验中使用的激光器调谐范围限制了光谱窗口。垂直腔面发射激光器(VCSEL)调谐所施加的最大液晶电压为20V,这可能对某些应用构成限制。

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