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[IEEE 2019欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC)- 德国慕尼黑(2019年6月23日-27日)] 2019年欧洲激光与光电子学会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC)- 带有额外控制区的高功率单片主振荡器与锥形功率放大器二极管激光器,工作波长1060纳米

DOI:10.1109/cleoe-eqec.2019.8873395 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 用于高功率运行且具有良好光束质量的最先进二极管激光光源是分布布拉格反射器锥形二极管激光器(DBR - TPLs)。这些器件能在近乎衍射极限的光束中提供超过10瓦的窄带光谱发射[1]。然而,由于锥形部分集成在谐振腔内,这些器件的设计使得只有前向行波能得到最佳限制和放大。这种权衡限制了这些器件的潜力??朔庖幌拗频囊恢址椒ㄊ墙缎尾糠忠浦列痴袂煌?,并在单片式主振荡器功率放大器(MOPA)布局中用作单程功率放大器[2] - [4]。然而,如下文所述,如果发生多腔运行,这些器件在发射特性方面的优势可能会减弱。在这项工作中,我们展示了最近开发的用于增强抑制多腔运行的单片式MOPA的研究成果。这些器件的主振荡器(MO)长2毫米,前后端带有7阶DBR光栅,中间有一个0.75毫米长的有源区。主振荡器区之后是一个0.5毫米长的有源控制区(CON)。两者的脊形波导(RW)宽度均为5微米。功率放大器(PA)区长3.5毫米,由具有6°全角的锥形p面接触定义。三种不同的布局如图1a所示。第一种布局(顶部)的三个区呈直线排列,垂直于前端面。第二种布局(中部)的主振荡器区倾斜4°,控制区弯曲;第三种布局(底部)的控制区弯曲,功率放大器区倾斜4°。图1a为三种单片式MOPA布局示意图。图1b为三种不同单片式MOPA的光学输出功率(实线)和峰值波长(圆点)。以直线布局为参考,讨论弯曲控制区以及倾斜主振荡器或倾斜功率放大器对器件发射特性的益处。此外,还将介绍控制区对器件发射特性的影响,包括对光学输出功率、光谱和光束质量因子的比较。所有器件在1060纳米波长下都能提供超过6瓦的光学输出功率,且光谱带宽窄于17皮米(光谱仪分辨率极限)。然而,如图1b所示,总体发射特性存在明显差异。图中绘制了光学输出功率和峰值波长随功率放大器电流的变化情况。与直线布局相比,倾斜主振荡器布局的激光器输出功率略有增加,并且在功率放大器电流低于8安时,光谱模式跳变减少。对于倾斜功率放大器布局的激光器,由多腔运行导致的小幅光谱模式跳变完全被抑制,但输出功率降低了0.5瓦。
作者: C. Zink,M. Maiwald,H. Wenzel,B. Sumpf,G. Tr?nkle
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研究概述 实验方案 设备清单

研究具有额外控制区的单片式主振荡功率放大器(MOPA)二极管激光器在1060 nm波长下高功率运行时的发射特性。

研究表明,采用改进布局的集成式MOPA结构能够增强多腔运行的抑制效果并改善发射特性。倾斜MO布局使输出功率略有提升且光谱模式跳变减少,而倾斜PA布局则以轻微降低输出功率为代价完全抑制了光谱模式跳变。这些发现表明,通过精心设计控制段和布局可以优化高功率二极管激光器的性能。

该研究仅限于1060纳米的单片MOPA二极管激光器,其发现可能无法直接适用于其他波长或配置。光谱模式跳变和输出功率波动表明器件设计中存在潜在的优化空间。

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