研究目的
为开发基于氮化镓（GaN）的高效红光LED，以实现三原色（RGB）单片集成及高分辨率显示器的研发——这些是智能社会的关键器件。
研究成果
使用铕掺杂氮化镓（GaN）开发红色发光二极管（LED）已取得良好效果，通过采用微腔结构使发光强度和输出功率显著提升。该技术为研制基于氮化物的小型单片高分辨率光学器件铺平了道路，可应用于微型LED显示和照明技术领域。
研究不足
GaN:Eu中Eu发射的相对较长辐射寿命（约300微秒）是限制光输出功率进一步提升的因素。
1：实验设计与方法选择：
本研究聚焦于利用掺杂半导体中稀土离子的4f内壳层跃迁，开发基于铕掺杂氮化镓（Eu:GaN）的红光LED。
2：样本选择与数据来源：
研究采用嵌入微腔的GaN:Eu层以增强发光强度。
3：实验设备与材料清单：
设备包括AlGaN/GaN分布布拉格反射镜（DBR）、银反射镜，以及ZrO?/SiO?和AlInN/GaN DBR。
4：实验步骤与操作流程：
通过将GaN:Eu层嵌入微腔，并在光泵浦条件下测量其发光强度。
5：数据分析方法：
通过调控辐射复合概率，分析铕发射强度与输出功率的增强效果。
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AlGaN/GaN distributed Bragg reflector
DBR
Used as part of a microcavity to enhance the emission intensity of Eu-doped GaN.
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Ag reflecting mirror
Used as part of a microcavity to reflect light and enhance emission intensity.
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ZrO2/SiO2 distributed Bragg reflector
DBR
Used in a preliminary LED to enhance output power.
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AlInN/GaN distributed Bragg reflector
DBR
Used in a preliminary LED to enhance output power.
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