研究目的
通过生长后反应研究锗纳米线中具有相控亚稳态段的轴向异质结构的可控形成。
研究成果
该研究成功展示了在锗纳米线中可控形成具有亚稳态金属段的轴向异质结构。研究发现纳米线直径可控制所形成亚稳态相的类型——较粗的纳米线倾向于形成β-AuGe(β-AgGe)相,而较细的纳米线则倾向于形成γ-AuGe(γ-AgGe)相。该方法为将亚稳态相集成至纳米线异质结构以实现新功能开辟了新途径。
研究不足
该研究仅限于锗纳米线及其与金和银的反应。若不做修改,该过程可能无法直接适用于其他半导体纳米线或金属。
研究目的
通过生长后反应研究锗纳米线中具有相控亚稳态段的轴向异质结构的可控形成。
研究成果
该研究成功展示了在锗纳米线中可控形成具有亚稳态金属段的轴向异质结构。研究发现纳米线直径可控制所形成亚稳态相的类型——较粗的纳米线倾向于形成β-AuGe(β-AgGe)相,而较细的纳米线则倾向于形成γ-AuGe(γ-AgGe)相。该方法为将亚稳态相集成至纳米线异质结构以实现新功能开辟了新途径。
研究不足
该研究仅限于锗纳米线及其与金和银的反应。若不做修改,该过程可能无法直接适用于其他半导体纳米线或金属。
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